[发明专利]反向调节自对准接触件

权利要求书

1.一种形成源极/漏极接触件的方法，包括：

在衬底上方形成一对栅极结构；

在所述一对栅极结构之间形成源极/漏极区；

形成布置在所述源极/漏极区上方并且横向布置在所述一对栅极结构的邻近的侧壁之间的牺牲源极/漏极接触件；

在所述牺牲源极/漏极接触件上方形成氧化物材料；

形成在所述牺牲源极/漏极接触件和所述一对栅极结构上方延伸的介电层，所述介电层由不同于所述牺牲源极/漏极接触件的材料的材料制成；

去除所述介电层中位于所述牺牲源极/漏极接触件上方的部分以及所述氧化物材料，并且随后去除所述牺牲源极/漏极接触件以形成凹槽；以及

用导电材料填充所述凹槽以形成源极/漏极接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述牺牲源极/漏极接触件包括：

形成暴露所述介电层中位于所述源极/漏极区上方的部分而覆盖所述介电层的其他部分的掩模；

利用所述掩模适当地实施第一蚀刻以去除所述介电层的暴露部分并且在所述介电层内产生凹槽，所述凹槽终止于所述牺牲源极/漏极接触件的上表面处；以及

对所述凹槽实施第二蚀刻以去除所述牺牲源极/漏极接触件，并且延伸所述凹槽，使得所述凹槽终止于所述源极/漏极区的上表面处。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在形成所述牺牲源极/漏极接触件之前，在所述一对栅极结构上方形成蚀刻停止材料，所述蚀刻停止材料用于防止所述第二蚀刻蚀穿所述源极/漏极区。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二蚀刻是去除所述牺牲源极/漏极接触件而保留所述一对栅极结构不被蚀刻的选择性蚀刻。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述一对栅极结构中的每个栅极结构均包括：

栅电极；

绝缘侧壁间隔件，布置在所述栅电极的相对侧壁周围；以及

覆盖层，覆盖所述栅电极的上表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二蚀刻包括对所述绝缘侧壁间隔件、所述覆盖层以及所述牺牲源极/漏极接触件的牺牲材料具有选择性的蚀刻剂，从而去除所述牺牲源极/漏极接触件而保留所述绝缘侧壁间隔件和绝缘的所述覆盖层不被蚀刻。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述覆盖层包括SiN。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲源极/漏极接触件包括：

在所述一对栅极结构上方形成牺牲材料，所述牺牲材料填充位于所述一对栅极结构的邻近的侧壁之间的所述源极/漏极区上方的横向区；以及

通过去除所述横向区外部的所述牺牲材料，使得剩余的所述牺牲材料形成所述牺牲源极/漏极接触件而形成所述牺牲源极/漏极接触件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲源极/漏极接触件和所述介电层在居于与所述一对栅极结构的每个栅极结构的上侧壁部分均相交的平面的界面处接触。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲源极/漏极接触件包括导电材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲源极/漏极接触件包括非晶硅。

12.一种形成源极/漏极接触件的方法，包括：

在一对栅极结构周围和之上形成牺牲材料，其中源极/漏极区布置在所述一对栅极结构之间；

去除所述一对栅极结构以在所述牺牲材料内形成一对腔体；

用栅极材料填充所述一对腔体以形成一对替换栅极结构；

在所述一对替换栅极结构之间形成牺牲源极/漏极接触件；

在所述牺牲源极/漏极接触件上方形成氧化物材料；

在所述牺牲源极/漏极接触件、所述氧化物材料以及所述一对替换栅极结构上方形成介电层；

去除覆盖所述源极/漏极区的所述牺牲源极/漏极接触件、所述氧化物材料和所述介电层以形成凹槽；以及

用导电材料填充所述凹槽以形成电连接至所述源极/漏极区的源极/漏极接触件。