[发明专利]双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线在审
申请号: | 201410184791.8 | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN104018131A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 郭爱云 | 申请(专利权)人: | 红安华州光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 438400 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 氧化 磁控溅射 镀膜 生产线 | ||
技术领域
本发明涉及一种导电膜生产线,尤其是一种结构简单可靠、操作方便、镀膜效果好的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线。
背景技术
目前,双面消影触摸屏的导电膜多为通过依次设置的进口真空腔体、工艺腔体和出口真空腔体完成,功能单一,效率低下。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种结构简单可靠、操作方便、效率高的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线。
实现本发明目的的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线,包括机架,所述机架上依次设置有进口真空腔体、进口缓冲真空腔体、进口过渡腔体、工艺真空腔体、出口真空腔体、出口缓冲真空腔体和出口过渡腔体;
所述机架上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带;
所述工艺真空腔体为9个,所述每个工艺真空腔体都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb2Ox阳极;或1到8对SiOx阳极;或1到6对Ito阳极;
所述进口真空腔体内配备有1到2组低真空抽气系统;
所述进口缓冲真空腔体和出口缓冲真空腔体内配备1到2组高真空抽气系统;
所述工艺真空腔体内配备2到3组维持高真空抽气系统。
本生产线结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
附图说明
图1为本发明的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本发明所述的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线,包括机架8,所述机架8上依次设置有进口真空腔体1、进口缓冲真空腔体2、进口过渡腔体3、工艺真空腔体4、出口真空腔体5、出口缓冲真空腔体6和出口过渡腔体7;
所述机架8上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带9;
所述工艺真空腔体4为9个,所述每个工艺真空腔体9都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体9可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb2Ox阳极;或1到8对SiOx阳极;或1到6对Ito阳极;
所述进口真空腔体1内配备有1到2组低真空抽气系统;
所述进口缓冲真空腔体2和出口缓冲真空腔体6内配备1到2组高真空抽气系统;
所述工艺真空腔体4内配备2到3组维持高真空抽气系统。
本生产线结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
上面所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神前提下,本领域普通工程技术人员对本发明技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
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