[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，具有其上布置有多个键合焊盘的主表面和与所述主表面相对的背表面，

其中所述半导体芯片的所述主表面由在其中形成有多个开口的保护膜覆盖，

其中每个所述键合焊盘的上表面的外围部分由所述保护膜覆盖，并且每个所述键合焊盘的所述上表面的除所述外围部分之外的部分从每个所述开口暴露，

其中每个所述键合焊盘的所述上表面被分为键合区域和探针区域，并且

其中，在平面图中，所述保护膜与所述键合区域中的每个所述键合焊盘的所述外围部分的交叠宽度宽于所述保护膜与所述探针区域中的每个所述键合焊盘的所述外围部分的交叠宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述保护膜中的开口具有凸形形状。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

布线衬底，具有：

主表面，其中形成有多个键合引线；以及

与所述主表面相对的背表面；

焊盘区域，其中所述键合焊盘沿所述半导体芯片的各侧部布置在所述半导体芯片的所述主表面上方；以及

核心区域，其中集成电路形成于所述焊盘区域的内侧，

其中：

所述半导体芯片安装在所述布线衬底的所述主表面上方，以使得所述布线衬底的所述主表面与所述半导体芯片的所述背表面彼此面对；

所述键合焊盘与所述键合引线由键合接线电耦合；以及

所述键合焊盘被布置为使得所述键合区域比所述探针区域更为靠近所述半导体芯片的侧部。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述键合接线通过超声波振动与热压一起使用的键合技术被分别电耦合至所述键合焊盘。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述键合接线是金线，以及

其中所述键合焊盘为包含铝膜作为主要材料的金属膜。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述保护膜布置在相邻的键合焊盘之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述保护膜包含其中形成有多个绝缘膜的层压膜，以及

其中在最上层中的绝缘膜为氮化硅膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中在所述键合区域中所述保护膜与每个键合焊盘的外围的交叠宽度宽于2.5μm。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中在所述键合区域中所述保护膜与每个键合焊盘的外围的交叠宽度为5μm，以及

其中在所述探针区域中所述保护膜与每个键合焊盘的外围的交叠宽度为2.5μm。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中所述保护膜包含具有第一厚度的第一绝缘膜、具有大于所述第一厚度的第二厚度的在所述第一绝缘膜上方的第二绝缘膜以及在所述第二绝缘膜上方作为最上层的第三绝缘膜；

其中每个键合焊盘的外围覆盖有包含所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的层压膜；以及

其中所述第三绝缘膜进一步覆盖所述键合焊盘上方的所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的端部。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第三绝缘膜与每个所述键合焊盘的交叠宽度为2.5μm。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片、所述键合接线以及所述布线衬底的所述主表面的一部分由包含绝缘树脂的树脂密封材料密封。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中所述布线衬底以及构成所述树脂密封材料的树脂部件由无卤素部件制成。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，

其中所述布线衬底的所述背表面提供有焊料球。