[发明专利]一种磁控溅射设备

权利要求书

1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括：

磁控溅射室，其左、右侧壁分别设置一个进气口和抽气口；

溅射靶、靶材，位于磁控溅射室内下部；

磁铁，位于磁控溅射室内溅射靶底部；

可移动基板台，位于磁控溅射室内上部，可上下移动，在其与溅射靶的相对面上设置有基片；

保护罩，位于磁控溅射室内，放置在靶材和可移动基板台之间；

高频电源，位于磁控溅射室外，其正负极分别与可移动基板台和溅射靶连接；

通电线圈，缠绕在保护罩上，用于产生变化的磁场；

控制装置，位于磁控溅射室外，用于控制基板台的移动。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的可移动基板台和溅射靶之间的间距为50~200mm。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的高频电源的频率为10⁷~2×10⁸Hz。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的保护罩为中空圆柱形，侧壁为镂空结构。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的保护罩内径大于或等于所有靶材所在外接圆的直径，其高度大于可移动基板台在最低位置处的下底面与磁控溅射室内壁底面之间的距离。

6.根据权利要求4或5所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的保护罩采用的材质为石英或陶瓷材料。

7.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的通电线圈的匝数至少为2匝，为可拆卸的镂空结构，相邻通电线圈之间留有空隙。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的通电线圈内电流可调节，产生的磁场强度为10^-1~10^-5T。

9.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述的磁铁为永磁体，磁场强度为10^-2~1T。