[发明专利]半导体检测结构及形成方法、检测方法

权利要求书

1.一种半导体检测结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有待测器件结构，所述衬底和待测器件结构表面具有介质层，所述介质层表面具有导电结构、以及用于电隔离所述导电结构的绝缘层；

采用第一平坦化工艺去除所述导电结构和绝缘层，直至暴露出所述介质层的第一表面为止；

在所述第一平坦化工艺之后，采用粘结层使介质层的第一表面固定于基底表面；

在所述介质层固定于基底表面之后，去除所述衬底，并暴露出介质层的第二表面和待测器件结构表面为止，所述介质层的第二表面与待测器件表面齐平，所述介质层的第二表面与第一表面相对。

2.如权利要求1所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述衬底内还具有隔离结构。

3.如权利要求2所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第一平坦化工艺之后，所述介质层的第一表面固定于基底表面之前，采用第二平坦化工艺对所述衬底、隔离结构和介质层进行平坦化，以形成第三表面，所述第三表面垂直于衬底表面，且所述第三表面到所述待测器件结构具有预设距离，所述第二平坦化工艺以平行于衬底表面的方向、自衬底边缘向待测器件结构进行平坦化；

在所述第二平坦化工艺之后，在所述介质层内形成标记开口，所述标记开口暴露出衬底表面；

在去除所述衬底之后，在所述介质层的第二表面、隔离结构表面和待测器件表面形成保护层，所述保护层覆盖于所述标记开口的顶部，使所述标记开口内部形成空腔；

去除所述保护层和隔离结构，直至暴露出所述标记开口和介质层的第二表面、以及待测器件表面为止。

4.如权利要求3所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述预设距离为1微米～5微米。

5.如权利要求3所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，形成所述标记开口的工艺为第一聚焦离子束轰击刻蚀工艺，轰击离子源为镓离子源、惰性离子源中的一种或多种，电压为1kV～30kV。

6.如权利要求3所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与隔离结构的材料相同。

7.如权利要求6所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述保护层和隔离结构的材料为氧化硅。

8.如权利要求3所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层和隔离结构的工艺为第二聚焦离子束轰击刻蚀工艺，轰击离子源为镓离子源、惰性离子源中的一种或多种，电压为1kV～30kV。

9.如权利要求8所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述第二聚焦粒子束轰击刻蚀工艺的电压为2kV。

10.如权利要求8所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，在去除所述保护层和隔离结构之后，对暴露出的介质层第二表面和待测器件结构表面进行抛光，以去除介质层第二表面和待测器件结构表面的缺陷，所述抛光工工艺的抛光液为水，研磨垫的转速为20rpm～80rpm。

11.如权利要求1所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述待测器件结构为栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅极层、以及位于栅极层和栅介质层侧壁表面的侧墙。

12.如权利要求1所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述导电结构包括：若干层重叠设置的导电层、以及位于各层导电层之间并电连接相邻两层导电层的导电插塞。

13.如权利要求1所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述粘结层的材料为有机材料。

14.如权利要求13所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述有机材料为环氧树脂或蜡。

15.如权利要求1所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，去除衬底的工艺包括：对所述衬底与介质层相对的表面进行第三平坦化工艺，使所述衬底的厚度减薄至预设厚度；在第三平坦化工艺之后，刻蚀所述衬底直至暴露出介质层和待测器件结构表面为止。

16.如权利要求15所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，所述第三平坦化工艺为化学机械抛光工艺；所述刻蚀工艺为湿法刻蚀法工艺，刻蚀液为碱性溶液。