[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410185331.7 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097914B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤：
提供衬底；
在衬底内形成第二掺杂类型的埋层区，以及多个底层N区和底层P区，所述底层N区和底层P区在二维坐标系的第一维方向上交替排列；
在所述底层N区、底层P区和埋层区上外延形成外延层；
向所述外延层内注入杂质离子并推结，形成顶层N区、顶层P区及第二掺杂类型的阱区；推结后，每个顶层N区与一个底层N区上下对接形成N柱，每个顶层P区与一个底层P区上下对接形成P柱，阱区与埋层区上下对接；
在所述阱区上形成栅氧层和栅极；
形成第一掺杂类型的源区、漏区和第二掺杂类型的体引出区；所述源区和漏区形成于所述栅氧层的两侧，所述源区和漏区的连线方向为二维坐标系的第二维方向。
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述N柱包括长条N柱和交错N柱，所述长条N柱的延伸方向为所述第二维方向，并在所述第一维方向上间隔排列，相邻的两长条N柱之间被所述交错N柱和P柱填充，所述交错N柱和P柱在所述第二维方向上交替排列。
4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述体引出区设于所述源区远离漏区的一侧。
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