[发明专利]一种FINFET制造方法在审
| 申请号： | 201410185412.7 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097528A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲;张珂珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 制造 方法 | ||
1.一种FINFET的制造方法，包括：
a.提供半导体衬底(100)，在所述衬底上形成第一鳍片(201)；
b.在所述第一鳍片(201)上覆盖掩膜层(202)；
c.在所述半导体衬底(100)中形成穿通阻挡层(300)；
d.以第一鳍片(201)和掩膜层(202)为掩膜依次对所述通阻挡层(300)和所述半导体衬底(100)的一部分进行刻蚀，将所述第一鳍片(201)扩展成第二鳍片(200)，并去除掩膜(202)；
e.在所述半导体衬底(100)上形成沟槽隔离结构(400)，在第二鳍片(200)上形成源漏区，在所述半导体衬底和第二鳍片上形成栅极叠层和层间介质层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤a中，所述第一鳍片(201)的高度取决于要形成的第二鳍片(200)的预定高度与隔离层(400)的高度差。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在步骤a中，所述第一鳍片(201)的高度为30～50nm，厚度为10～30nm。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤b中，形成所述掩膜层(202)的材料为氮化硅和/或氧化硅。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中形成的所述穿通阻挡层(300)位于第一鳍片(201)底部，其靠近衬底(100)的边界设定为位于要形成的第二鳍片(200)之内。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中，形成穿通阻挡层(300)的方法为掺杂离子的侧向散射。
7.根据权利要求1或6所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中，形成所述穿通阻挡层(300)的杂质类型与衬底相同。
8.根据权利要求1或6所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中，所述穿通阻挡层(300)的杂质浓度为1e17cm-3～1e19cm-3。
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