[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一导电型，且具有一主动区及一终端区；

一外延层，设于该基底上且具有该第一导电型；

多个第一沟槽，设于该主动区的该外延层中；

多个第二沟槽，设于该终端区的该外延层中，其中所述第一沟槽及所述第二沟槽的相邻沟槽之间的距离自所述主动区至所述终端区的方向增加；

一注入阻挡层，形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽的底部；

一衬层，具有一第二导电型，且沿着所述第一沟槽与所述第二沟槽的侧壁顺应性形成，其中该第一导电型与该第二导电型相异；

一介电材料，填入所述第一沟槽与所述第二沟槽，且分别定义多个第一柱及多个第二柱；

一栅极介电层，设于该外延层上；

两个浮栅，形成于该栅极介电层上，且设于距离该终端区最远的第一柱的相对应的两侧上；

一源极区，形成于所述浮栅之间；

一层间介电层，覆盖该栅极介电层与所述浮栅；及

一接触插塞，形成于该源极区上且穿过该层间介电层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该注入阻挡层包括一氧化物/氮化物/氧化物复合层、一氮化物/氧化物/氮化物复合层、一氧化物/氮氧化物/氧化物复合层、或一氮化物/氧化物复合层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该注入阻挡层包括一氧化硅/氮化硅/硅酸四乙酯氧化物复合层，其中氧化硅：氮化硅：硅酸四乙酯氧化物的厚度比为1-10：1-10：1-50。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该注入阻挡层的总厚度为300-5000埃。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该注入阻挡层覆盖所述第一沟槽与所述第二沟槽底部的侧壁。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个浮栅形成于该终端区的栅极介电层上，其中所述终端区上的浮栅覆盖该终端区中的部分所述第二柱及部分该外延层。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，具有一第一导电型，其中该基底具有一主动区及一终端区；

形成一外延层于该基底上，该外延层具有该第一导电型；

形成多个第一沟槽于该主动区的外延层中；

形成多个第二沟槽于该终端区的外延层中，其中所述第一沟槽及所述第二沟槽的相邻沟槽之间的距离自所述主动区至所述终端区的方向增加；

形成一注入阻挡层于所述第一沟槽与所述第二沟槽的底部；

顺应性形成一衬层于所述第一沟槽与所述第二沟槽的侧壁；

将一第二导电型掺杂剂注入该衬层，其中该第一导电型与该第二导电型相异，且该注入阻挡层阻挡该掺杂剂，防止该掺杂剂进入所述第一沟槽与所述第二沟槽的底部；

将一介电材料填入所述第一沟槽与所述第二沟槽以分别形成多个第一柱及多个第二柱；

形成一栅极介电层于该外延层上；

形成两个浮栅于该栅极介电层上，且上述两个浮栅设于距离该终端区最远的所述第一柱的相对应的两侧上；

形成一源极区于所述浮栅之间；

形成一层间介电层覆盖该栅极介电层与所述浮栅；及

形成一接触插塞于该源极区上且穿过该层间介电层。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该注入阻挡层包括一氧化物/氮化物/氧化物复合层、一氮化物/氧化物/氮化物复合层、一氧化物/氮氧化物/氧化物复合层、或一氮化物/氧化物复合层。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该注入阻挡层包括一氧化硅/氮化硅/硅酸四乙酯氧化物复合层，其中氧化硅：氮化硅：硅酸四乙酯氧化物的厚度比为1-10：1-10：1-50。

10.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该注入阻挡层的总厚度为300-5000埃。