[发明专利]具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上形成Si鳍形结构；

向所述Si鳍形结构注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层；

在所述SiGe层上形成栅堆叠结构。

2.如权利要求1所述的具有SiGe源漏的FinFET的形成方法，其特征在于，还包括：向所述Si鳍形结构注入所述含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体的同时，注入含B或P或As元素的原子、分子、离子或等离子体，以对所述SiGe层进行掺杂。

3.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，通过选择性外延工艺形成所述Si鳍形结构。

4.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，通过光刻和刻蚀工艺形成所述Si鳍形结构，其中，所述衬底是表层为Si材料的衬底。

5.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括离子注入。

6.如权利要求5所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子注入包括等离子体源离子注入和等离子体浸没离子注入。

7.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控溅射。

8.如权利要求7所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控溅射注入的过程中，在所述衬底上加载负偏压。

9.如权利要求7所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述磁控溅射在所述SiGe层之上形成的Ge薄膜。

10.如权利要求9所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，利用对Ge和SiGe具有高腐蚀选择比的溶液清洗以去除所述Ge薄膜。

11.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述注入的过程中对所述衬底加热，加热温度为100-900℃。

12.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括，在所述注入之后，对SiGe层退火，退火温度为100-900℃。

13.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述SiGe层为应变SiGe层。

14.如权利要求13所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述应变SiGe层的厚度为0.5-100nm。

15.如权利要求13所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述应变SiGe层中Ge的原子百分含量小于50％。

16.如权利要求1或2所述的具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在栅堆叠结构的两侧形成源和漏。

17.一种具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成在衬底之上的SiGe鳍形沟道区；

形成在所述SiGe鳍形沟道区之上的栅堆叠结构；以及

形成在所述SiGe鳍形沟道区两侧的源和漏。