[发明专利]一种硬质涂层的快速沉积装置及方法在审
申请号: | 201410186643.X | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN104032267A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 宋忠孝;雷哲锋;邢聪;程亮亮;宋佳豪 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硬质 涂层 快速 沉积 装置 方法 | ||
1.一种硬质涂层的快速沉积装置,其特征在于:包括阴极弧源(3)以及开设有进气口的真空腔体(1);所述的真空腔体(1)与真空系统(4)相连,真空腔体(1)与阴极弧源(3)之间设有用于为阴极弧源(3)发出的等离子体提供聚束磁场的聚束腔体(2);聚束腔体(2)与真空腔体(1)相连通,且聚束腔体(2)内设置有待测样,待测样与阴极弧源(2)之间设有靶材,阴极弧源(3)的电源正极分别与真空腔体(1)和为待测样提供负偏压的偏压电源(5)的正极相连,阴极弧源(3)的电源正极、真空腔体(1)、偏压电源(5)的正极分别接地。
2.根据权利要求1所述的硬质涂层的快速沉积装置,其特征在于:所述的聚束腔体(2)的直径大于靶材,聚束腔体(2)是由第一、二、三磁感线圈(7,8,9)组成的,第一、二、三磁感线圈(7,8,9)沿等离子体发射方向依次布置,且第三磁感线圈(9)接地,第一、二、三磁感线圈(7,8,9)的电源为电压电流可调电源。
3.根据权利要求1所述的硬质涂层的快速沉积装置,其特征在于:所述的真空腔体(1)内设置有样品架(6),待测样通过样品架(6)与偏压电源(5)的负极相连。
4.根据权利要求1所述的硬质涂层的快速沉积装置,其特征在于:所述的靶材为Ti、Cr或Zr。
5.一种基于权利要求1~4中任意一项权利要求所述的快速沉积装置的硬质涂层沉积方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将待测样置于聚束腔体(2)内,并与偏压电源(5)的负极相连,然后利用真空系统(4)对真空腔体(1)抽真空,使真空度达到3.0×10-3Pa以下,再通过进气口向真空腔体(1)内通入氩气和反应气体清洗真空腔体(1)以除去残余空气;
2)真空腔体(1)清洗完成后,从进气口向真空腔体(1)内持续通入氩气,保持真空腔体(1)内的气压保持在2-3Pa;然后打开聚束腔体(2)的电源使聚束腔体(2)产生磁场,同时打开偏压电源(5)使真空腔体(1)和聚束腔体(2)产生辉光,对待测样表面进行辉光清洗;
3)测样表面辉光清洗结束后,通过调节通入的氩气流量使真空腔体(1)内的气压保持在0.8-1.2Pa,然后打开阴极弧源(3)的电源,向待测样上沉积过渡金属层;
4)过渡金属层沉积完成后,从进气口向真空腔体(1)内通入氩气和反应气体,然后向已经沉积了过渡金属层的待测样上沉积涂层,即在待测样上沉积了硬质涂层。
6.根据权利要求5的沉积方法,其特征在于:所述的步骤1)中清洗真空腔体(1)时,真空腔体(1)内的气压小于5Pa。
7.根据权利要求5所述的沉积方法,其特征在于:所述的反应气为N2、CH4或C2H2。
8.根据权利要求5所述的沉积方法,其特征在于:所述的步骤2)中通入氩气的气流量为13sccm;聚束腔体(2)的电流为0.2~1A,电压为5~20V;偏压电源(5)的偏压为800V,占空比为60%,对待测样表面进行辉光清洗的时间为15min。
9.根据权利要求5或8所述的沉积方法,其特征在于:所述的步骤3)中通入氩气的气流量为63sccm,在打开阴极弧源(3)前,调节偏压电源(5)的偏压为100-200V,占空比为30-50%,向待测样上沉积过渡金属层时的蒸发功率为800~1000W,沉积时间为2min。
10.根据权利要求9所述的沉积方法,其特征在于:所述的步骤4)中氩气的气流量为3~5sccm,反应气的气流量为40~60sccm,沉积时间为15min。
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