[发明专利]纳米WC晶须的制备方法有效
| 申请号： | 201410186658.6 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103922341A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 姜爱民;蒋显全;杨荣杰;余荣;李权;杨锦;潘复生 | 申请（专利权）人： | 重庆市科学技术研究院 |
| 主分类号： | C01B31/34 | 分类号： | C01B31/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 郭云;谭春艳 |
| 地址： | 401123 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 wc 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米WC晶须的制备方法，其特征在于：按照如下步骤完成：
(1)、将偏钨酸、葡萄糖、氯化钠、氯化钴加入纯水中进行充分溶解，所述葡糖糖的量为偏钨酸重量的8％-9％，所述氯化钠的重量为偏钨酸重量的6.5％-65％，所述氯化钴的重量为偏钨酸重量的30％-70％；
(2)、将上述溶液放入真空干燥箱中干燥得到粉末；
(3)、将步骤(2)中得到的粉末充分研磨，然后过40目筛网，细粉备用；
(4)、将步骤(3)中筛分后的细粉放入真空碳化管炉中，通入氩气，升温至1300-1450℃，保温1-2h，然后冷却得到WC晶须。
2.根据权利要求1所述纳米WC晶须的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，真空干燥的温度为50-80℃，干燥压力为1-10pa。
3.根据权利要求1-2任一项所述纳米WC晶须的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，氩气的流量为10-20ml/min。
4.根据权利要求1-2任一项所述纳米WC晶须的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，升温的速度为5℃/min。
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