[发明专利]高Q值可调谐差分式有源电感有效

专利信息
申请号: 201410186734.3 申请日: 2014-05-05
公开(公告)号: CN103956986B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 张万荣;陈昌麟;赵飞义;卓汇涵;白杨 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H03H11/04 分类号: H03H11/04
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 调谐 分式 有源 电感
【权利要求书】:

1.一种高Q值可调谐差分式有源电感,其特征在于:包括电源、输入输出端、偏置电路和由共源极连接的Mn3、Mn4晶体管和共栅极连接的Mn1、Mn2晶体管组成的差分Cascode结构,还包括有源电阻反馈网络,所述有源电阻反馈网络由Mp3晶体管和无源电阻Rf并联构成,并且所述有源电阻反馈网络的两端分别与所述Mn1、Mn2晶体管的漏极相连接;

所述差分Cascode结构包括四只NMOS晶体管Mn1、Mn2、Mn3和Mn4,共源极连接的Mn3和Mn4晶体管的栅极分别与Mn4、Mn3管的漏极相连接,构成一交叉耦合对;共栅极连接的Mn1、Mn2晶体管的栅极分别与Mn2、Mn1管的漏极相连接,构成另一交叉耦合对;所述Mn3、Mn4晶体管的漏极分别和Mn1、Mn2晶体管的源极相连接,形成差分Cascode结构;

所述偏置电路包括两个NMOS晶体管Mn5、Mn6和两个的PMOS晶体管Mp1、Mp2,所述的Mn5和Mn6晶体管作为偏置电流源,其漏极分别与所述Mn3、Mn4晶体管的源极相连接,为差分Cascode结构提供偏置电流;

所述PMOS晶体管Mp1、Mp2的漏极与Mn1、Mn2晶体管的漏极相连接;所述Mp3晶体管被偏置在三极管区,Mp3晶体管的源、漏极分别与无源电阻Rf两端连接,形成有源电阻反馈网络;所述有源电阻反馈网络的两端分别与Mn1、Mn2晶体管的漏极相连接。

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