[发明专利]腔室环境调控方法有效
| 申请号： | 201410186830.8 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105097485B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈永远;符雅丽;罗巍 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环境 调控 方法 | ||
1.一种腔室环境调控方法，其特征在于，包括以下步骤：
向反应腔室中通入第一气体，在所述反应腔室的内壁及所述反应腔室中的基片台表面生成第一涂层，所述第一涂层为含硅元素和氧元素的涂层，分子式为SixOy；
向所述反应腔室通入第二气体，在所述第一涂层的表面生成第二涂层,所述第二涂层为含硅元素、碳元素和卤族元素的涂层，或者为含硅元素、碳元素和氢元素的涂层，分子式为SiaCbRc，其中所述R为F、Cl、Br或H；
将晶圆送入所述反应腔室中，进行等离子体加工；
对所述晶圆进行所述等离子体加工完毕后，将所述晶圆移出所述反应腔室，并通入第一清洗气体，去除所述等离子体加工过程中吸附在所述第二涂层的表面的沉积物及所述第二涂层；
通入第二清洗气体，去除所述第一涂层，使所述反应腔室恢复初始环境。
2.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第一气体为含硅元素和氢元素的气体与氧气的混合气体。
3.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第二气体为含碳元素、氢元素和卤族元素的气体与含硅元素和卤族元素的气体的混合气体。
4.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第一涂层的厚度和所述第二涂层的厚度均为2nm—100nm。
5.根据权利要求4所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第一涂层的厚度和所述第二涂层的厚度均为10nm—30nm。
6.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第一涂层的生成方法为等离子体激发沉积方法或者气体分子聚合沉积方法；
所述第二涂层的生成方法为所述等离子体激发沉积方法或者所述气体分子聚合沉积方法。
7.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述等离子体加工为等离子体刻蚀加工或者等离子体气相沉积加工。
8.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第一清洗气体为含氟元素的气体和含氧元素的气体中的一种或两种以上的混合气体。
9.根据权利要求1所述的腔室环境调控方法，其特征在于，所述第二清洗气体为含氯元素的气体、含氧元素的气体和含氮元素的气体中的一种或两种以上的混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
