[发明专利]供体基底在审
| 申请号： | 201410186965.4 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104183782A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李濬九;金元锺;郑知泳;崔镇百;李娟和;房贤圣;宋英宇 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 供体 基底 | ||
1.一种供体基底，所述供体基底包括：
基础基底；
光反射层，位于基础基底上并且与基础基底部分地叠置；
光热转换层，位于基础基底上并且包括组合层，所述组合层包括绝缘材料和第一金属材料；以及
转印层，位于光热转换层上，
其中，随着与基础基底的距离沿光热转换层的厚度方向的增大，组合层中的第一金属材料与组合层中的绝缘材料的含量比增大。
2.根据权利要求1所述的供体基底，其中，光反射层包括第二金属材料。
3.根据权利要求2所述的供体基底，其中，多个开口限定在光反射层中。
4.根据权利要求3所述的供体基底，其中，光热转换层与光反射层的限定光反射层中的所述多个开口的部分叠置。
5.根据权利要求3所述的供体基底，其中，光热转换层包括多个光热转换图案，光热转换图案分别位于限定在光反射层中的所述多个开口中。
6.根据权利要求1所述的供体基底，其中，光热转换层还包括位于组合层上且包括组合层中的第一金属材料的金属层。
7.根据权利要求6所述的供体基底，其中，光热转换层还包括位于基础基底和组合层之间且包括组合层中的绝缘材料的绝缘层。
8.根据权利要求1所述的供体基底，其中，随着与基础基底的距离沿光热转换层的厚度方向的增大，组合层中的第一金属材料与组合层中的绝缘材料的含量比线性增大。
9.根据权利要求1所述的供体基底，其中，光热转换层位于光反射层和基础基底之间。
10.根据权利要求9所述的供体基底，其中，槽部分限定在光热转换层中，并且光反射层位于槽部分中，
其中，多个开口限定在光反射层中，
其中，供体基底还包括位于光热转换层和转印层之间且位于限定在光反射层中的所述多个开口中的平面化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
