[发明专利]电容式触控装置及其感测方法有效

专利信息
申请号: 201410187230.3 申请日: 2014-05-06
公开(公告)号: CN104598086B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 徐日明;郭锦华 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 代理人: 翟羽
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容 式触控 装置 及其 方法
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及一种电容式触控装置,特别涉及一种电容式触控装置及其感测方法。

【背景技术】

当一电容式触控面板应用至一大尺寸装置时,感测线数量增加。此外,对于增加感测速度及计算扫描结果的需求也增加。

于轴交错式(Axis Intersect;AI)电容感测技术中,是以自电容(self-capacitance)感测方法侦测一触碰的坐标。然而轴交错式电容感测技术会发生鬼点(ghost point)问题,因此无法侦测多点触碰(multi-point touch)。相对地,于全点可寻址(All-Points Addressable;APA)电容感测技术中,通常是以互电容(mutual-capacitance)感测方法侦测一触碰的坐标,因此全点可寻址电容感测技术可侦测多点触碰。

请参阅图1,图1为现有技术中使用轴交错式电容感测技术之电容式触控装置10。该电容式触控装置10包括一触控面板100以及若干个触控集成电路(Integrated Circuits;IC)102、104。该触控面板100包括若干条感测线S1-S20。该触控集成电路102电性耦接至感测线S1-S10以扫描感测线S1-S10。该触控集成电路104电性耦接至感测线S11-S20以扫描感测线S11-S20。请参阅图2,图2绘示图1中感测线S8-S13及触控集成电路102、104的示意图,感测线S10、S11被视为边界(boundary)感测线。于电容式触控装置10中,一触碰的位置是透过感测两相邻感测线而决定。举例来说,感测线S8及S9被充电及放电以获得两感测线S8及S9之模拟至数字转换值(Analog-to-Digital Conversion value;以下称ADC值)。然后,感测线S8及S9之间之触碰的位置由感测线S8及S9之ADC值决定。类似地,感测线S9及S10之间之触碰的位置由感测线S9及S10之ADC值决定,感测线S10及S11之间触碰的位置由感测线S10及S11之ADC值决定。然而触控集成电路102并未电性耦接至感测线S11,因此触控集成电路102不能获得感测线S11之ADC值。当触碰的位置(感测线S10及S11之间)仅由感测线S10之ADC值决定时,ADC值会不正确或很小。为了决定正确的位置,触控集成电路104将所获得之感测线S11之ADC值传送到触控集成电路102,使得触控集成电路102能藉由使用感测线S10及S11之ADC值决定感测线S10及S11之间的位置。因为需要将感测线S11之ADC值传送至触控集成电路102,所以触控面板100的图框率(frame rate)会大幅降低并导致电容式触控装置10的性能变差。对于全点可寻址电容感测技术而言,需要将一列(row)的ADC值传送至触控集成电路102,同样也会使性能损失而变差。

因此,需要对上述因为两相邻触控集成电路之其中一者将边界感测线之ADC值传送至另外一者而导致图框率大幅降低的问题提出解决方法。

【发明内容】

本发明之一目的在于提供一电容式触控装置及其感测方法。

本发明之电容式触控装置包括一触控面板以及若干个触碰侦测单元。该触控面板包括若干条第一感测线以及若干条第二感测线。这些触碰侦测单元至少包括一第一触碰侦测单元以及一第二触碰侦测单元。该第一触碰侦测单元电性耦接至这些第一感测线。该第二触碰侦测单元电性耦接至这些第二感测线。位于最后一条第一感测线与最前面一条第二感测线之间之一触碰的位置是由该第一触碰侦测单元根据该最后一条第一感测线的前面一条第一感测线的感测值与该最后一条第一感测线的感测值计算,或者该触碰的位置是由该第二触碰侦测单元根据该最前面一条第二感测线的感测值与该最前面一条第二感测线的后面一条第二感测线的感测值计算。

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