[发明专利]用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法

说明书

技术领域

本发明涉及热处理技术领域，具体地，涉及一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法。

背景技术

MASSON快速热处理机台是一种常用热处理设备。在该机台上既可以进行高温(大于900℃)热处理工艺，也可以进行低温(小于或等于900℃)热处理工艺。在热处理工艺过程中，特别是对温度敏感的热处理工艺过程中，热处理机台的温度校准非常重要。然而，对于MASSON热处理机台来说，热处理机台的读出温度由高温计提供。该高温计位于机台内的支撑装置的下方，其测量的温度与实际的热处理基片的温度存在一定的差异，在实际生产前，需要对MASSON快速热处理机台的温度进行校准，以使热处理基片的实际温度与高温计的读出温度能够匹配。

因此，有必要提出用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法。所述方法包括：提供校准基片，所述校准基片上设置有用于测量所述校准基片的温度的热电偶；将所述校准基片放置在所述MASSON快速热处理机台内的支撑装置上；对所述校准基片进行模拟热处理，同时通过设置在所述支撑装置下方的高温计和所述热电偶分别采集所述校准基片的读出温度曲线和实际温度曲线；基于所述读出温度曲线和所述实际温度曲线生成校温曲线；以及调整所述MASSON快速热处理机台内的上加热装置和下加热装置的功率，对所述校温曲线进行闭环验证，至所述高温计的读出温度曲线和所述热电偶的实际温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配。

优选地，在采集所述校准基片的读出温度曲线和实际温度曲线之前，所述方法包括调节所述校准基片的升温速率，以使生成的所述校温曲线能够监控预定温度范围。

优选地，所述预定温度范围为450℃～800℃。

优选地，所述闭环验证的初始温度为180℃～250℃。

优选地，在所述闭环验证的升温过程中设置温度保持平台，其中在所述温度保持平台期间所述高温计的测量温度不变。

优选地，所述温度保持平台的温度比所述热处理的所述主工艺阶段的温度低50℃～100℃。

优选地，所述温度保持平台的保持时间为10秒～20秒。

优选地，所述热处理的所述主工艺阶段的温度不高于900℃。

优选地，所述方法在进行所述闭环验证之前还包括：对所述较温曲线进行开环验证，以使所述高温计的读出温度曲线和所述热电偶的实际温度曲线的最大温度差值小于预定值。

优选地，所述预定值为4℃～8℃。

综上所述，根据本发明的用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法通过热电偶测量校准基片的实际温度并与高温计的读出温度进行比较生成校准曲线，并调整上加热装置和下加热装置的功率，对该校准曲线进行闭环验证，直至高温计的读出温度曲线和热电偶的实际温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配。该校准方法通过模拟实际生产过程中的基片的热处理工艺，对温度段进行匹配，校准结果好，且校准基片可重复利用，成本低。

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

以下结合附图，详细说明本发明的优点和特征。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中，

图1是根据本发明的一个实施例的用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法；

图2是根据图1的流程图所示的方法进行温度校准过程中MASSON快速热处理机台的内部结构示意图；以及

图3是进行闭环验证过程中，高温计的读出温度曲线与热电偶测量的校准基片的实际温度曲线的示意图，其中，该闭环验证过程中设置有温度保持平台。

具体实施方式

接下来，将结合附图更加完整地描述本发明，附图中示出了本发明的实施例。但是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。