[发明专利]自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置

权利要求书

1.自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，

所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率C_X，

所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率C_Y，

其中，N为3以上的自然数，所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成的，

所述分析模块根据各所述C_X、C_Y的计算结果，得到基底的二维形貌；

所述C_X的计算公式为：

CX=(x21-x20)2·dAB·y20-(x11-x10)2·dAB·y10]]>

其中，

x₁₀，激光射到平面反射面后又反射到第一PSD上形成的光斑的横坐标，

x₂₀，激光射到平面反射面后又反射到第二PSD上形成的光斑的横坐标，

x₁₁，光线射到晶片基底后又反射到第一PSD上形成的光斑的横坐标，

x₂₁，光线射到晶片基底后又反射到第二PSD上形成的光斑的横坐标，

y₁₀，第一PSD到晶片基底的距离，

y₂₀，第二PSD到晶片基底的距离，

d_AB＝x₂₀-x₁₀；

所述C_Y的计算公式为：

CY=15fπ·kRPM·α]]>

其中，

α，校准系数，

k，所述各光斑的纵坐标随时间变化按线性拟合的斜率，

f，所述各PSD的采样频率，

RPM，承载晶片基底的石墨盘每分钟转数。

2.根据权利要求1所述的自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，还包括数据采集模块，所述数据采集模块用于采集所述各光斑的坐标，并将所述各光斑的坐标输送到所述第一运算模块和第二运算模块。