[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410188399.0 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105097681A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干个由浮栅结构和掩膜层形成的叠层，在相邻的所述叠层之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；
去除所述掩膜层，以露出所述浮栅结构；
回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述回蚀刻选用包括O2的刻蚀气氛，以使露出的所述浮栅结构的部分侧壁更加圆滑。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气氛还进一步包括C4F8和CO。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在露出所述浮栅结构的部分侧壁之后，所述方法还进一步包括执行湿法清洗的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗步骤中选用DHF。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层选用SiN。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用H3PO4蚀刻去除所述掩膜层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用地毯式干法蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述叠层和浅沟槽隔离结构的方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浮栅层和掩膜层；
图案化所述浮栅层、所述掩膜层和所述半导体衬底，以形成若干相互隔离的所述叠层以及位于所述叠层之间的浅沟槽；
在所述浅沟槽中填充隔离材料，以形成所述浅沟槽隔离结构。
10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。
11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
