[发明专利]掺杂方法

权利要求书

1.一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S₁、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层；

步骤S₂、在该掺杂层上形成一电介质层；

步骤S₃、对该带有电介质层的基底进行退火处理；

步骤S₄、使用清洗液去除该电介质层。

2.一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S_T1、采用离子注入的方式在一基底上形成一掺杂层；

步骤S_T2、对该基底进行退火处理，并在退火的同时在该掺杂层上形成一电介质层；

步骤S_T3、使用清洗液去除该电介质层。

3.如权利要求1或2所述的掺杂方法，其特征在于，该电介质层具有以下性能的一种或多种：用于降低该掺杂层的掺杂浓度、用于修复晶格缺陷和吸收该基底中的杂质。

4.如权利要求1或2所述的掺杂方法，其特征在于，该电介质层选自以下的一种或多种：氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层。

5.如权利要求4所述的掺杂方法，其特征在于，通过以下方法中的一种或多种形成该电介质层：PECVD、APCVD和磁控溅射法，或者，通过在退火过程中通入氨气和/或氧气形成该电介质层；

较佳地，采用硅烷和氨气通过PECVD形成该电介质层。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该电介质层的厚度为5nm～100nm。

7.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，在形成该电介质层之前，还包括清洗带有该掺杂层的该基底的步骤，以去除该基底的表面上、背面上或侧面上的由掺杂离子形成的杂质和/或金属杂质。

8.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，退火的温度为700℃～1100℃，时间为1分钟～180分钟。

9.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该掺杂层的掺杂剂量为1e14cm^-3～1e16cm^-3。

10.如权利要求1-5中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该清洗液为氢氟酸。