[发明专利]具有微米孔的网状薄膜及制造方法无效

专利信息
申请号: 201410188821.2 申请日: 2014-05-07
公开(公告)号: CN103935957A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 文力 申请(专利权)人: 文力
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82B1/00
代理公司: 成都立信专利事务所有限公司 51100 代理人: 江晓萍
地址: 610200 四川省成都市双流*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 具有 微米 网状 薄膜 制造 方法
【权利要求书】:

1.具有微米孔的网状薄膜,其特征在于网状薄膜中有作为连续体的带通透的微米孔的金属和/或陶瓷骨架,微米孔孔径为0.5μm~250μm,网状薄膜厚度为20μm~0.5mm,网状薄膜是在真空腔体内由电子束蒸发金属和/或陶瓷及制孔剂氯化钠沉积到基板上,再水中浸取除去制孔剂形成网状薄膜。

2.如权利要求1所述的具有微米孔的网状薄膜,其特征在于作为连续体的带通透的微米孔的金属和/或陶瓷骨架上布满了纳米金属和/或陶瓷骨架。

3.如权利要求1或2所述的具有微米孔的网状薄膜,其特征在于带通透的微米孔的金属骨架或纳米金属骨架是采用铝、镁、锌、钛、镍、钴、铁、钒、不锈钢、锰、锆、铂、钯、铑、铱、铜、稀土金属及它们的合金中的至少一种制成。

4.如权利要求1或2所述的具有微米孔的网状薄膜,其特征在于带通透的微米孔的陶瓷骨架或纳米陶瓷骨架是采用碳化硅、氮化硅、钛酸铝、铝硅酸、莫来石、堇青石、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属碳化物、二氧化硅、氮氧化硅、羟基磷灰石、磷酸三钙、二硫化钼中的至少一种制成。

5.如权利要1或2所述的具有微米孔的网状薄膜,其特征在于网状薄膜是沉积在基板上,基板是金属板或陶瓷板或片材或有孔网孔洞的网状材料。

6.如权利要求1所述的具有微米孔的网状薄膜的制造方法,其特征在于该方法是在真空腔室内由功率大于10千瓦的电子束蒸发金属和/或陶瓷及制孔剂NaCl,使之沉积到作往复运动或旋转运动的基板上形成薄膜,用水浸取薄膜除去制孔剂NaCl后形成带通透的微米孔的金属和/或陶瓷材料作为连续体骨架的网状薄膜,金属和/或陶瓷、制孔剂NaCl沉积到基板上的体积比为1 ~5∶1。

7.如权利要求6所述的具有微米孔的网状薄膜的制造方法,其特征在于由电子束蒸发金属和/或陶瓷及制孔剂NaCl沉积到基板上的网状薄膜上或具有通透微米孔骨架的网状薄膜上,金属和/或陶瓷与制孔剂NaCl沉积体积比为2~5∶1,将具有通透的微米孔骨架的网状膜薄用水浸取除去制孔剂NaCl后形成具有通透的微米孔的金属和/或陶瓷骨架和分布在具有通透的微米孔金属和/或陶瓷骨架上的纳米金属和/或陶瓷骨架的网状薄膜。

8.如权利要求6所述的具有微米孔的网状薄膜的制造方法,其特征在于金属和/或陶瓷、制孔剂NaCl是由电子束共同蒸发沉积到基板或网状薄膜上,其中至少一种金属和/或陶瓷材料与制孔剂NaCl在一个共同蒸汽上升通道即共同为一个真空蒸发沉积腔室空间。

9.如权利要求6或7或8所述的具有微米孔的网状薄膜的制造方法,其特征在于基板或网状薄膜形状为带状或块状,能在至少一个真空蒸发沉积腔室内前进后退或旋转作往复运动,电子束蒸发的材料在基板或网状薄膜上实现分别蒸发、分层重叠和往复沉积和/或几种材料共蒸发重叠且往复沉积到基板或网状薄膜上。

10.如权利要求6或7或8所述的具有微米孔的网状薄膜的制造方法,其特征在于在真空腔室内,预先在基板上沉积一层用于分离薄膜的低表面能氟化钙膜层。

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