[发明专利]一种高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机有效

专利信息
申请号: 201410189336.7 申请日: 2014-05-06
公开(公告)号: CN103986488A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 田玲;向渝;刘成帅;刘泊;张念祖;张雷;陈鹏;余旭涛 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 黄成萍
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 lte 信道 模拟器 宽带 射频 接收机
【权利要求书】:

1.一种高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:包括宽带射频功率检测幅度调整模块、分段变频滤波模块、中频自动电平控制模块、中频解调模块和本振模块;

所述宽带射频功率检测幅度调整模块:对输入信号的功率进行检测:若输入信号功率大于阈值,则对输入信号进行衰减处理,然后将衰减处理后的信号发送给分段变频滤波模块;若输入信号小于等于阈值,则输入信号直接通过并发送给分段变频滤波模块;

所述分段变频滤波模块:对输入信号进行分频段处理,针对不同的频段,分别进行各自的变频滤波处理后,都变为中频信号,然后将得到的中频信号发送给中频自动电平控制模块;

所述中频自动电平控制模块:对输入信号功率大于阈值范围的电平进行衰减,调整到阈值范围内后发送给中频解调模块;对输入信号功率在阈值范围内的电平,直接发送给中频解调模块;对输入信号功率小于阈值范围的电平进行放大,调整到阈值范围内后发送给中频解调模块;

所述中频解调模块:对输入信号进行正交解调,产生模拟基带信号,给LTE信道模拟器的基带部分进行数据处理;在中频解调模块中插入一个相位可调的中频频率合成器,使输入的本振信号相位可调,实现射频接收相位可调的功能;

所述本振模块:给LTE信道模拟器提供射频本振信号。

2.根据权利要求1所述的高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:所述宽带射频功率检测幅度调整模块包括依次连接的宽带定向耦合器(1)、限幅放大器(2)、宽带射频数控衰减器(3)和放大器(4),输入信号经由宽带定向耦合器(1)输入,宽带射频放大器(31)和宽带射频检波器(32)对宽带定向耦合器(1)的输出信号进行功率检测。

3.根据权利要求2所述的高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:所述分段变频滤波模块,对400MHz~6GHz的输入信号进行分频段处理,针对不同的频段,分别进行各自的变频滤波处理后,都变为1.2GHz的中频信号,然后将得到的1.2GHz的中频信号发送给中频自动电平控制模块。

4.根据权利要求3所述的高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:所述分段变频滤波模块:

400~2GHz输入信号首先通过射频单刀四掷开关(5)依次进入低通滤波器(6)和A射频混频器(11)后,将信号的频率变为3.2GHz;然后再依次进入A射频放大器(12)、A射频带通滤波器(13)、B射频放大器(14)和B射频混频器(15)后,将信号的频率变为1.2GHz;最后通过A中频放大器(16)和中频单刀双掷快关(20)到达中频自动电平控制模块;

2~6GHz输入信号首先通过射频单刀四掷开关(5),一路切换到B射频带通滤波器(7)对2~4GHz的射频信号进行滤波处理,另一路切换到C射频带通滤波器(8)对4~6GHz的射频信号进行滤波,两路信号分别通过射频单刀双掷开关(10)合成为一个已经经过滤波处理的2~6GHz的射频信号,获得的2~6GHz的射频信号依次经过C宽带射频放大器(17)和C射频混频器(18)下混频至1.2GHz的射频信号,获得的1.2GHz的射频信号通过B中频放大器(19)和中频单刀双掷开关(20)到达中频自动电平控制模块;

射频单刀四掷开关(5)剩余的一路连接匹配负载(9)。

5.根据权利要求4所述的高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:所述中频自动电平控制模块包括依次连接的中频滤波器(24)、C中频放大器(25)、A中频数控衰减器(26)、D中频放大器(27)、B中频数控衰减器(28)和E中频放大器(29)。

6.根据权利要求5所述的高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:所述本振模块包括A中频频率合成器(22)、射频频率合成器(21)和B中频频率合成器(23),所述射频频率合成器(21)为A射频混频器(11)和C射频混频器(18)提供本振信号,所述A中频频率合成器(22)为B射频混频器(15)提供本振信号,所述B中频频率合成器(23)为中频解调模块提供本振信号。

7.根据权利要求6所述的高性能LTE信道模拟器宽带射频接收机,其特征在于:还包括单片机控制模块和电源模块,所述单片机模块对宽带射频数控衰减器(3)、射频单刀四掷开关(5)、B射频带通滤波器(7)、C射频带通滤波器(8)、匹配模块(9)、射频单刀双掷开关(10)、中频单刀双掷开关(20)、A中频数控衰减器(26)、B中频数控衰减器(28)、A中频频率合成器(22)、射频频率合成器(21)和B中频频率合成器(23)的芯片进行控制。

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