[发明专利]晶片的切削方法有效

专利信息
申请号: 201410189395.4 申请日: 2014-05-07
公开(公告)号: CN104139462B 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 铃木稔;坂井真树 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B28D5/02 分类号: B28D5/02;H01L21/78;B23D79/00;B26D1/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 切削 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及对在表面形成有保护膜或TEG等层叠体的半导体晶片等被加工物进行切削的切削方法。

背景技术

以往,公知有用于将半导体晶片、玻璃基板、树脂基板等分割为器件芯片的切削装置(划片装置),例如,如专利文献1所公开的那样,还公知有具有两个主轴单元的双主轴切削装置。在这种双主轴切削装置中,实施如下的阶梯切割(step cut):首先,进行通过一个主轴单元的切削刀具形成规定深度的槽的半切,然后,进行通过另一个主轴单元的切削刀具完全切断半切后的槽的全切。

在对半导体晶片进行切削加工时,在对设定有分割预定线的间隔道去除被称为测试元件组(Test Element Group,TEG)的测试用金属图案的情况下,也进行这种阶梯切割。即,首先,利用一个主轴单元的切削刀具去除(半切)TEG而形成第一切削槽,接着,利用另一个主轴单元的切削刀具在第一切削槽的位置处形成第二切削槽并完全切断(全切)半导体晶片。

如果想要实施这种阶梯切割,则预先通过半切去除TEG,并利用与在半切中使用的切削刀具不同的切削刀具进行全切,因此在进行全切的切削刀具中不会产生由TEG引起的堵塞。而且,由于在进行全切的切削刀具中不会产生由TEG引起的堵塞,因此能够有效地防止在晶片的背面侧产生碎屑。

专利文献1:日本特开2003-173986号公报

专利文献2:日本特开2000-49120号公报

专利文献3:日本特开2008-300555号公报

但是,切削刀具一边高速旋转一边切削晶片等工件,而长时间持续进行半切或持续切断间隔道上的TEG图案会使得树脂等切削屑附着在刀具末端,刀具产生堵塞,切割性能降低。为了解决该问题,存在将进行刀具修整的修整部件专用子卡盘工作台设置在与卡盘工作台相邻的位置、或在与切割带上的工件相邻的位置处粘贴设置修整部件的方法(例如,参照专利文献2、3)。总之,需要设置子卡盘工作台、或准备特殊的切割用框架,成本增加。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的,提供如下的晶片的切削方法:不需要准备特殊的设备,不用中断切削动作就能够一边消除半切用切削刀具的堵塞一边切削半导体晶片。

为了解决上述的课题并实现目的,在本发明的晶片的切削方法中,使通过层叠在基板正面上的层叠体而形成有器件的晶片相对于具有环状的切削刃并向规定方向旋转的切削刀具在与该切削刀具的旋转轴垂直的方向上相对移动,沿着划分该器件的多个间隔道进行切削,该切削方法的特征在于,包括:带粘贴工序,在所述晶片的背面粘贴切割带;层叠体去除工序,在实施了该带粘贴工序之后,使所述切削刀具切入得比该层叠体的厚度深而切入到该基板的中途,并且,在该切削刀具与所述晶片相对的位置上,使所述晶片顺着该切削刀具的旋转方向沿着所述间隔道相对移动,形成切削槽,从而去除该层叠体;以及修整工序,在执行该层叠体去除工序后的任意时机,使该切削刀具沿着该切削槽切入得比该切削槽深,使所述晶片逆着该切削刀具的旋转方向相对移动,沿着该切削槽切削该基板,去除在该层叠体去除工序中附着在该切削刀具的末端的该层叠体,进行该切削刀具的修整。

在本发明的晶片的切削方法中,将去除了表面层叠体的半切用切削刀具切入到去除了层叠体的切削槽并返回,从而能够进行去除了层叠体的切削刀具的修整,因此不需要设置特殊的机构,是经济的。而且,不需要为了进行切削刀具的修整而停止生产,因此还实现了生产量的提高。

附图说明

图1是通过实施方式的晶片的切削方法进行切削加工的切削装置的立体图。

图2是图1所示的切削单元的详细图。

图3是通过图1所示的切削装置进行晶片的切削加工时的说明图。

图4是使用实施方式的晶片的切削加工对晶片进行分割时的工序的流程图。

图5是层叠体去除工序中的切削的说明图。

图6是图5的A-A剖视图。

图7是修整工序中的修整的说明图。

图8是图7的B-B剖视图。

图9是分割工序中的切削的说明图。

图10是图9的C-C剖视图。

标号说明

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