[发明专利]一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器

权利要求书

1.一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于，包括衬底（1），依次生长在衬底（1）上的缓冲层（10），非故意掺杂GaN层（2），n型掺杂GaN层（3），n型掺杂In_zGa_1-zN层(4)， n型掺杂In_yGa_1-yN接触层（5），非故意掺杂高阻In_yGa_1-yN吸收层（6），低掺杂浓度的n型In_yGa_1-yN组分缓变层（7），非故意掺杂高阻In_xGa_1-xN倍增层（8），p型掺杂In_xGa_1-xN层（9）。

2.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非故意掺杂GaN层（2）的厚度为0.5-5μm。

3.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的n型掺杂GaN层（3）的厚度为0.5-2μm，电子浓度为2×10¹⁷-3×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的n型掺杂In_zGa_1-zN层(4)的厚度为0.1-0.8μm, 电子浓度为2×10¹⁷-3×10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的n型掺杂In_yGa_1-yN接触层（5）的厚度为0.05-0.5μm, 电子浓度为2×10¹⁷-5×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非故意掺杂高阻In_yGa_1-yN吸收层（6）的厚度为0.1-0.8μm。

7.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的低掺杂浓度的n型In_yGa_1-yN组分缓变层（7）的厚度为0.005-0.1μm，电子浓度为1×10¹⁷-2×10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非故意掺杂高阻In_xGa_1-xN倍增层（8）的厚度为0.05-1μm。

9.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的p型掺杂In_xGa_1-xN层（9）的厚度为0.01-0.3μm，空穴浓度为2×10¹⁷-5×10¹⁸cm^-3。

10.根据权利要求1所述的一种吸收、倍增层分离且具有滤波功能的可见光雪崩光电探测器，其特征在于：所述的非故意掺杂高阻In_xGa_1-xN倍增层（8）的In组分x＝0－0.5；

非故意掺杂高阻In_yGa_1-yN吸收层（6）的In组分y＝0－0.5；

n型掺杂In_zGa_1-zN层(4)的In组分z＝0－0.5；

n型掺杂In_zGa_1-zN层(4)的In组分z与非故意掺杂高阻In_yGa_1-yN吸收层（6）的In组分y满足关系z<y；

低掺杂浓度的n型In_yGa_1-yN组分缓变层（7）的In组分在x-y范围内连续变化。