[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上采用铟镓锌氧化物InGaO₃(ZnO)_m制作具有C轴结晶取向特性的有源层，其中，m≥2。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述采用铟镓锌氧化物InGaO₃(ZnO)_m制作具有C轴结晶取向特性的有源层具体为：

通过物理气相沉积方式以第一功率和第一速率沉积具有C轴结晶取向特性的第一铟镓锌氧化物层；

在形成的第一层铟镓锌氧化物层上通过物理气相沉积方式以第二功率和第二速率沉积第二铟镓锌氧化物层，所述第一铟镓锌氧化物层和第二铟镓锌氧化物层形成有源层，其中，所述第一功率小于所述第二功率，所述第一速率小于所述第二速率。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成第一铟镓锌氧化物层的温度条件和第二铟镓锌氧化物层的温度条件均为200℃～400℃。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积方式以第一功率和第一速率沉积具有C轴结晶取向特性的第一铟镓锌氧化物层；在形成的第一层铟镓锌氧化物层上通过物理气相沉积方式以第二功率和第二速率沉积第二铟镓锌氧化物层，所述第一铟镓锌氧化物层和第二铟镓锌氧化物层形成有源层，具体为采用激光脉冲方式：

采用Nd:YAG脉冲激光器，其输出波长为1064nm，重复频率为10Hz，脉宽为10ns；

首先，打开真空系统的机械泵，对真空室抽真空；当真空度达到0～5Pa时，打开分子泵，继续进行抽真空操作；

在真空度达到2.5×10^-4Pa时，关闭分子泵，打开机械泵，并同时向真空室通入氧气，使氧分压保持在10.0Pa；

沉积时，聚焦前激光采用第一功率，具体为0.3W，沉积铟镓锌氧化物层时的温度为200～400度，沉积时间为10～30s，铟镓锌氧化物以第一速率形成一层0-10nm的第一铟镓锌氧化物层；

降低氧气流量，保持真空腔压强为5.0Pa，聚焦前激光采用第二功率，具体为0.5W，在第一铟镓锌氧化物层上以第二沉积速率形成第二铟镓锌氧化物层。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积方式以第一功率和第一速率沉积具有C轴结晶取向特性的第一铟镓锌氧化物层；在形成的第一层铟镓锌氧化物层上通过物理气相沉积方式以第二功率和第二速率沉积第二铟镓锌氧化物层，所述第一铟镓锌氧化物层和第二铟镓锌氧化物层形成有源层，具体为采用溅射方式：

当真空度达到2.5×10^-4Pa时，开始进行铟镓锌氧化物薄膜沉积，沉积温度保持200～400度不变，向真空室通入氧气和Ar气，O:Ar＝1：4；

沉积时的功率采用第一功率，具体为3KW，O₂流量为25标况毫升/分，扫描次数为1scan，使铟镓锌氧化物以第一速率形成第一铟镓锌氧化物层；

在沉积的第一层铟镓锌氧化物层上沉积第二层铟镓锌氧化物层，在沉积时，沉积功率提高至第二功率，具体为4.5KW，O₂流量为25标况毫升/分，扫描次数为1scan，沉积至所需薄膜厚度。

6.如权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述铟稼锌氧化物InGaO₃(ZnO)_m具体为：InGaZn₂O₅、InGaZn₃O₆、InGaZn₄O₇、InGaZn₅O₈或InGaZn₆O₉中的一种。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于衬底上的有源层，其中，所述有源层包括具有C轴结晶取向特性的铟稼锌氧化物，所述铟稼锌氧化物为InGaO₃(ZnO)_m，其中，m≥2。