[发明专利]镀铜减薄一体化装置有效
申请号: | 201410190951.X | 申请日: | 2014-05-07 |
公开(公告)号: | CN105097651B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 金一诺;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀铜 一体化 装置 | ||
1.一种镀铜减薄一体化装置,其特征在于,包括:基架,所述基架内设置有承载台、镀铜腔、快速清洗腔、抛铜腔及硅片夹持装置,其中:
承载台,放置硅片供硅片夹持装置夹取,供完成抛光减薄工艺后的硅片卸载在承载台上;
硅片夹持装置,从承载台上夹取硅片,携带硅片依次在镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔内操作;
镀铜腔,进行硅片的镀铜工艺;
快速清洗腔,进行硅片的快速清洗工艺;
抛铜腔,进行硅片的抛光减薄工艺;
所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔依次按圆形顺时针或逆时针排列;
所述硅片夹持装置包括旋转支架及设置在旋转支架上的一个或一个以上的硅片夹持头,所述旋转支架绕其自身的中心轴旋转,所述旋转支架旋转的方向与所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔的排列顺序一致,旋转支架旋转带动硅片夹持头依次经过承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔;
所述硅片减薄后再进行退火工艺。
2.根据权利要求1所述的镀铜减薄一体化装置,其特征在于,所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔相邻两两之间的夹角为90度。
3.根据权利要求1所述的镀铜减薄一体化装置,其特征在于,所述硅片夹持头的数量与所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔的总数量一致,所述承载台、镀铜腔、快速清洗腔及抛铜腔分别对应一个硅片夹持头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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