[发明专利]一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器无效

专利信息
申请号: 201410191758.8 申请日: 2014-05-07
公开(公告)号: CN103995278A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 孙丽娜;谭俊;原培新;巴德纯 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 梁焱
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 射线 安检 装置 能量 探测器
【权利要求书】:

1.一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,其特征在于:包括多个通道板和一个通讯板;

所述通道板设置有双能光电二极管阵列、信号调理模块、多路开关、AD转换模块和ARM处理器;

所述双能光电二极管阵列包括高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列,高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列之间设置有铜滤波片;

高能光电二极管阵列包括多组高能闪烁晶体和第一光电二极管,高能闪烁晶体包有感光材料并与第一光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定;

低能光电二极管阵列包括多组低能闪烁晶体和第二光电二极管,低能闪烁晶体与第二光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定;

所述第一光电二极管的引脚、第二光电二极管的引脚分别与信号调理模块的输入端连接,信号调理模块的输出端与多路开关连接,多路开关还连接AD转换模块的输入端,AD转换模块的输出端连接ARM处理器的输入端,ARM处理器连接到通讯总线上;

所述通讯板设置有FPGA,FPGA通过通讯总线与ARM处理器相连。

2.根据权利要求1所述的用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,其特征在于: 所述第一光电二极管、第二光电二极管均采用硅光电二极管。

3.根据权利要求1所述的用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,其特征在于:所述高能闪烁晶体材料为掺铊碘化铯晶体,厚度为3mm,其发射波长为565nm,低能闪烁晶体材料为硫氧化钆,厚度为0.3mm。

4.根据权利要求1所述的用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,其特征在于:所述信号调理模块包括放大滤波模块和反向电压器跟随器,放大滤波模块包括前置放大电路、滤波电路和主放大电路,前置放大电路的输入端分别与第一半导体光电二极管的引脚、第二半导体光电二极管的引脚连接,前置放大电路的输出端连接滤波电路的输入端,滤波电路的输出端连接主放大电路的输入端,主放大电路的输出端连接反向电压跟随器的输入端,反向电压跟随器的输出端连接多路开关。

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