[发明专利]利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法

权利要求书

1.一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：

1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件的结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，其中埋氧层作为第一层牺牲层；

2)在刻蚀后的衬底和单晶硅表面淀积氧化硅，作为第二层牺牲层；

3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；

4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜，刻蚀器件层单晶硅的隔离槽；

5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；

6)淀积第二层结构层，并进行刻蚀以形成MEMS器件结构；

7)制作通孔和引线；

8)去掉牺牲层，释放器件结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)所述SOI基片为低应力SOI片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2)所述氧化硅采用LPCVD方法淀积，其厚度根据步骤1)的光刻窗口大小确定。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4)所述隔离槽和步骤5)所述锚点槽为环形的封闭槽。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤6)对淀积的第二层结构层进行退火处理以加入预应力。

6.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤6)所述淀积第二层结构层，包括淀积氮化硅层和淀积多晶硅层，并进行多晶硅掺杂及退火处理以加入预应力，然后刻蚀氮化硅和多晶硅，形成MEMS器件的结构层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤6)形成中空的凸点。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤7)所述引线的金属采用溅射或者蒸发的方法淀积，引线的材料为金，并增加铬薄层以增加金属粘附性；步骤8)采用干法释放或湿法释放。

9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于：在步骤6)之后，步骤7)之前加入淀积材料和刻蚀步骤，采用多层牺牲层工艺制备MEMS器件。

10.根据权利要求1～9中任一项所述方法制备的MEMS器件。