[发明专利]一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法及铸锭用坩埚有效

专利信息
申请号: 201410192435.0 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN103952756A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 何亮;胡动力;雷琦;周成;张学日 申请(专利权)人: 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B11/14
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 338000 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 种类 单晶硅 铸锭 籽晶 粘连 拼接 方法 坩埚
【权利要求书】:

1.一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,用于定向凝固法类单晶硅铸锭,其特征在于,包括以下步骤:

(1)提供籽晶,所述籽晶包括至少两个相邻的待拼接面;

(2)在所述籽晶的待拼接面表面涂覆无机粘接剂,将涂覆有所述无机粘结剂的待拼接面对位拼接,所述无机粘结剂将相邻的所述籽晶粘连拼接在一起,覆盖在坩埚底部形成籽晶层。

2.根据权利要求1所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,步骤(1)中所述籽晶为开方后的多晶硅小方锭经截断制成的多晶硅块或开方后的单晶硅棒经截断制成的单晶硅块,其厚度为5~30mm。

3.根据权利要求1所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,步骤(1)中所述籽晶为(100)晶向的单晶硅块或是以(100)为主要晶向的多晶硅块。

4.根据权利要求1所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,步骤(1)中所述待拼接面呈平面或曲面。

5.根据权利要求1所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,步骤(2)还包括在所述坩埚底部或者籽晶底部涂覆无机粘结剂,所述无机粘结剂将所述籽晶与坩埚底部粘连。

6.根据权利要求1所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,步骤(2)中所述待拼接面在涂覆无机粘结剂前先采用硅腐蚀液进行腐蚀处理,所述硅腐蚀液为酸腐蚀液或碱腐蚀液。

7.根据权利要求1所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,步骤(2)中所述无机粘结剂为硅溶胶粘接剂。

8.根据权利要求5所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,所述酸腐蚀液为质量分数为49%的氢氟酸和质量分数为63%的硝酸的混合液,所述酸腐蚀液中氢氟酸和硝酸的体积比为1:3~1:1;所述碱腐蚀液为质量分数为2~50%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。

9.根据权利要求5所述的一种类单晶硅铸锭用籽晶的粘连拼接方法,其特征在于,当所述硅腐蚀液为酸腐蚀液时,采用常温腐蚀,腐蚀时间为1min~10min;当所述硅腐蚀液为碱腐蚀液时,腐蚀处理的温度为50℃~100℃,时间为1min~15min。

10.一种类单晶硅铸锭用坩埚,其特征在于,所述坩埚包括本体、阻隔层和籽晶层,所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁,所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间,所述阻隔层附着在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁表面,所述籽晶层设置于所述本体底座的阻隔层上方,所述阻隔层将所述籽晶层与所述本体底座隔离;所述籽晶层包括多个相互拼接的籽晶,所述籽晶与籽晶的拼接缝隙处填充有无机粘结剂。

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