[发明专利]多层式掩模

权利要求书

1.一种在化学气相沉积反应器(1)的处理室(2)中能放置在基材(13)上的掩模(3)，在所述处理室中，在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，所述掩模体的高度维度(H)比其平面维度小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在所述基材(13)上的层(15)的边缘(16)，其中，所述掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10)，并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性，其中，在直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)之间设有自由空间(22)，所述自由空间减少所述直接互相重叠放置的层之间的热传递，其特征在于，所述直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)仅仅部分地在岛状的接触区上接触，并且在所述接触区之间形成自由空间(22)，其中所述窗口(5)的边缘(6)由放置在基材(13)上的密封部件(12)构成，所述密封部件(12)是有弹性的密封型材件，所述密封部件借助区段贴靠在基材表面上，与位于最上方的层(7)相邻，并且在窗口(5)的整个轮廓上延伸。

2.根据权利要求1的掩模，其特征在于，所述接触区所要求的面积相当于所述掩模的总面积的5％。

3.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述层(7、8、9、10)的互相相邻放置的表面中至少一个的平均粗糙高度为50μm。

4.根据权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述自由空间(22)的体积和在高度维度方向(H)上测得的夹缝高度是通过层(7、8、9、10)的互相邻接的表面的粗糙度决定的。

5.一种在化学气相沉积反应器(1)的处理室(2)中能放置在基材(13)上的掩模(3)，在所述处理室中，在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度，所述掩模具有掩模体(4)，所述掩模体的高度维度(H)比其平面维度小很多，并具有至少一个窗口(5)，所述窗口的边缘(6)决定了沉积在所述基材(13)上的层(15)的边缘(16)，其中，所述掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠放置的层(7、8、9、10)，并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度延伸方向上更小的导热性，其中，在直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)之间设有自由空间(22)，所述自由空间减少直接互相重叠放置的层之间的热传递，其特征在于，所述窗口(5)的边缘(6)由放置在所述基材(13)上并且与位于最上方的层(7)邻接的密封部件(12)构成，其中，两个直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)通过间隔部件(26)互相分隔，所述间隔部件被直接与密封部件(12)相邻布置。

6.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述层具有互相不同的材料或者相同的材料。

7.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述掩模体(4)的朝向处理室(2)的一侧被涂黑。

8.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述掩模体(4)的朝向基材(13)的一侧被抛光。

9.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，内部的所述层(8、9)的表面被抛光。

10.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，远离所述窗口(5)布置有使所述层(7、8、9、10)互相夹紧的夹紧装置，其中，所述夹紧装置距窗口的距离为60mm至70mm。

11.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述掩模体(4)借助固定部件(28)被固定在掩模架(11)上，从而使所述层(7、8、9、10)可以发生侧面的热膨胀。

12.根据上述任一项权利要求所述的掩模用于在基材上沉积层的用途，其特征在于，在小于1mbar的气体总压下实施涂覆。

13.根据权利要求12所述的用途，其特征在于，所述气体总压处于0.1mbar和0.2mbar之间的范围。