[发明专利]采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法

权利要求书

1.一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：

步骤1：提供CMOS集成电路芯片；

步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；

步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；

步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；

步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；

步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，其中光电器件层的材料为氮化硅或非晶硅。

3.根据权利要求1所述的采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，其中所述在CMOS集成电路芯片上制备二氧化硅层是采用等离子体增强化学气相沉积的方法。

4.根据权利要求1所述的采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，其中所述对二氧化硅层表面进行平坦化处理，是采用化学机械抛光或回刻的方法。

5.根据权利要求4所述的后端CMOS工艺三维光电集成方法，其中所述在二氧化硅层上制备光子层是采用等离子体增强化学气相沉积的方法。

6.根据权利要求1所述的采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，其中所述在光子层上刻蚀通孔的深度到达CMOS集成电路芯片上表面，为通孔，是采用湿法刻蚀或反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀的方法，所述在通孔中填充金属以及在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，是采用蒸发或溅射方法。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，其中所述后端CMOS工艺，是指在CMOS集成电路芯片制备完成后，再次对CMOS集成电路芯片进行加工的工艺，工艺温度低于400℃。