[发明专利]基于石墨烯的新型电光调制器的结构设计在审
| 申请号： | 201410192797.X | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103969850A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张晓霞;王建敏;刘永 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 新型 电光 调制器 结构设计 | ||
【权利要求书】：
1.基于石墨烯的Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构设计，包括二氧化硅基底、硅波导、三层交叉的石墨烯层、隔离层以及电极，当通过电极在光波导两臂施加不同的电压时，石墨烯的费米能级会发生不同程度的改变，导致光波导的有效折射率也会随之发生不同的改变，最终在第二个Y分支处发生干涉调制。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构设计，其特征在于，所述二氧化硅基底厚度为450nm。
3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构设计，其特征在于，所述硅波导平板层厚度为90nm,脊形波导宽390nm,总厚度为335nm。
4.根据权利要求1、3所述的基于石墨烯的Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构设计，其特征在于，所述石墨烯层位于脊波导70nm高处，其结构为三层交叉的电容器结构，分别与电极相连，其中，中间的一层石墨烯接地，每层石墨烯厚度为0.7nm。
5.根据权利要求1、3、4所述的基于石墨烯的Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构设计，其特征在于，所述隔离层位于硅波导和每层石墨烯层之间，隔离层每层厚度为5nm。
6.根据权利要求1所述的基于石墨烯的Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构设计，其特征在于，所述金属电极和硅波导间距为550nm。
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