[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410192832.8 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097654B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构；
在所述铜互连结构和所述层间介电层的表面沉积形成富硅的第一界面层，且所述第一界面层包含硼元素；
采用氮气或者氨气处理所述第一界面层，以形成富氮的第二界面层；
在所述第二界面层上沉积形成电介质覆盖层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一界面层之前，还包括采用氨气或者氮气处理所述铜互连结构露出的顶面的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子化学气相沉积法形成所述第一界面层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述第一界面层采用的源气体包括：四甲基硅烷/三甲基硅烷、三甲基硼、氨气/氮气。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一界面层的材料为富硅的SiCBN。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一界面层的厚度为5nm～10nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二界面层材料为富氮的SiCBN。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述电介质覆盖层采用的源气体包括：四甲基硅烷/三甲基硅烷、氨气/氮气。
10.一种采用如权利要求1至9中任一项所述的方法制备获得的半导体器件，包括：
半导体衬底；形成于所述半导体衬底之上的层间介电层和所述层间介电层中的铜互连结构；覆盖在所述层间介电层和铜互连结构之上的富氮的界面层，其中所述界面层含有硅、硼和氮；以及形成于所述界面层之上的电介质覆盖层。
11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述界面层为富氮的SiCBN。
12.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述电介质覆盖层为氮化硅或者掺碳的氮化硅。
13.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述界面层的厚度为5～10nm。
14.一种电子装置，其包括权利要求10-13中任一项所述的半导体器件。
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