[发明专利]一种鳍片场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201410192918.0 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097530A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何昭文;袁俊;郑召星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种鳍片场效应晶体管的制作方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成鳍片结构；
在所述鳍片结构上形成外延层；
在所述外延层上形成栅极结构。
2.根据要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述栅极结构之后采用注入工艺或者热扩散工艺以形成源漏极的步骤。
3.根据要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述栅极结构之后刻蚀去除位于所述栅极结构两侧的所述外延层的步骤。
4.根据要求3所述的方法，其特征在于，还包括在刻蚀去除所述栅极结构两侧的所述外延层之后采用外延生长工艺以形成源漏极的步骤。
5.根据要求4所述的方法，其特征在于，还包括在执行所述外延生长工艺的同时执行原位掺杂的步骤。
6.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构为高K金属栅极结构。
7.根据要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀或者湿法刻。
8.根据要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层的材料为SiGe或者SiC。
9.根据要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述外延层的同时对所述外延层执行原位掺杂的步骤。
10.根据要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述鳍片结构之后在所述半导体衬底上所述鳍片结构的两侧形成隔离结构的步骤。
11.一种鳍片场效应晶体管，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的鳍片结构；
位于所述鳍片结构上的第一外延层；
位于所述第一外延层上的栅极结构；
其中，位于所述栅极结构下方的所述第一外延层为沟道。
12.根据要求11所述的鳍片场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述半导体衬底上所述鳍片结构两侧的隔离结构。
13.根据要求11所述的鳍片场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述鳍片结构上所述栅极结构两侧的源漏极。
14.根据要求13所述的鳍片场效应晶体管，其特征在于，采用注入工艺或者热扩散工艺处理位于所述栅极结构两侧的所述第一外延层以形成所述源漏极。
15.根据要求13所述的鳍片场效应晶体管，其特征在于，还包括位于所述鳍片结构上所述栅极结构两侧的第二外延层，采用原位掺杂工艺处理所述第二外延层以形成所述源漏极。
16.根据要求11所述的鳍片场效应晶体管，其特征在于，所述栅极结构为高K金属栅极结构。
17.根据要求11所述的鳍片场效应晶体管，其特征在于，所述第一外延层的材料为SiGe或者SiC。
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