[发明专利]一种质量校准物离子化与引入装置在审
申请号: | 201410192978.2 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN105097412A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 王睿;张小强;沈嘉祺;金峤;孙文剑 | 申请(专利权)人: | 岛津分析技术研发(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/10 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 质量 校准 离子化 引入 装置 | ||
1.一种质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,包括:
用于质量校准物离子化的至少一第一离子源;
用于分析物离子化的至少一第二离子源;
用于每个离子源的独立真空接口装置;以及
至少一离子导引区域,所述离子导引区域用于导引所述质量校准物离子及分析物离子进入与所述离子导引区域连接的质量检测分析区域;
其中,所述第一离子源处于低于大气压的环境,所述第二离子源处于大气压环境;其中,所述第一离子源及第二离子源分别通过所述独立的真空接口装置将质量校准物和分析物引入离子导引区域。
2.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述低于大气压的环境为内部气压低于大气压的预设腔室。
3.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述预设腔室设有用于启动或停止所述质量校准物离子向所述离子导引区域运送的控制阀。
4.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,包括:连通于所述预设腔室及离子导引区域的作为所述真空接口装置的离子导引器件。
5.根据权利要求4所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述离子导引器件包括:离子漏斗、多极杆离子导引装置、Q-阵列导引器及行波导引装置中的一种或者组合。
6.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,连接有质量校准物样品解吸附装置,所述质量校准物样本解吸附装置包括:大气压环境下装载所述质量校准物的样本台,用于将所述质量校准物解吸附为气态离子、气态分子或气溶胶形式的解吸附源,以及将解吸附后的质量校准物送入所述预设腔室的导引装置;所述第一离子源设于所述预设腔室内,用于将所述送入的质量校准物处理成质量校准物离子。
7.根据权利要求6所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述解吸附的方式包括:激光、电喷雾、电晕束、加热及声波中的一种或者组合。
8.根据权利要求1或2所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述第一离子源包括多个纳升电喷雾装置。
9.根据权利要求8所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述多个纳升电喷雾装置分分别对应于不同类型的质量校准物,所述各类型分别对应不同的质量范围。
10.根据权利要求8所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述多个纳升电喷雾装置对应有至少一个真空接口装置,所述至少一个真空接口装置连通至同一所述离子导引区域。
11.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述第一离子源与第二离子源各自连接的所述真空接口装置设置成:使各真空接口装置的出口处的中轴线间夹角为0~90度。
12.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述第一离子源为至少两个,分别对应于不同类型的质量校准物,所述各类型分别对应不同的质量范围。
13.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述离子导引区域为至少两个,所述第一离子源及第二离子源分别连接不同的离子导引区域。
14.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述处于低于大气压环境下的第一离子源包括:电喷雾离子源、辉光放电离子源、解吸附电晕束离子源、介质阻挡放电离子源、化学电离离子源、电晕放电离子源、激光解吸附离子源及光电离离子源中的一种或者组合;所述处于大气压环境下的第二离子源包括:电喷雾离子源、解吸附电晕束离子源、介质阻挡放电离子源、化学电离离子源、电晕放电离子源、激光解吸附离子源、辉光放电离子源及光电离离子源中的一种或者组合。
15.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置,其特征在于,所述的离子导引区域中包括至少一个离子导引装置,所述离子导引装置包括:离子漏斗、多极杆离子导引装置、Q-阵列导引器及行波导引装置中的一种或者组合。
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