[发明专利]有机发光二极管显示器有效

专利信息
申请号: 201410193162.1 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN104143562B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 边麒烈 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;刘铮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示器
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示器,包括:

电容电极;

第一薄膜晶体管,设置在所述电容电极上,

其中,所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极和第一有源层,所述第一有源层包括第一掺杂区域、第二掺杂区域和设置在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第一沟道区域,

其中,所述第一栅电极被设置在所述第一沟道区域上,

其中,所述第一掺杂区域与所述电容电极电耦合,

其中,所述第一沟道区域被设置在所述电容电极上,以及

其中,所述第一沟道区域与所述电容电极的重叠区域形成电容器;

有机发光二极管,连接至所述第一薄膜晶体管的所述第二掺杂区域;以及

驱动电源线,传输第一外部电源的恒定电压,并连接至所述第一有源层的所述第一掺杂区域以及所述电容电极,

其中所述电容电极充当所述电容器的一个电极,并且通过电子或空穴积累在所述第一沟道区域的底部中的浮体效应,所述第一沟道区域的所述底部充当所述电容器的另一电极。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一有源层的所述第一沟道区域包括:P-型掺杂半导体或者N-型掺杂半导体。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,还包括:绝缘层,设置在所述第一有源层与所述电容电极之间。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述电容电极包括:掺杂有杂质的非晶硅或者掺杂有杂质的多晶硅。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括:

扫描线,沿着第一方向延伸;

数据线,沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸;以及

第二薄膜晶体管,包括第二栅电极、第一电极和第二电极,其中,所述第二栅电极连接至所述扫描线,所述第一电极连接至所述数据线,所述第二电极连接至所述第一薄膜晶体管的所述第一栅电极;

其中,所述驱动电源线在远离所述数据线处沿着所述第二方向延伸。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,所述驱动电源线通过第一接触孔连接至所述第一掺杂区域,并且通过第二接触孔连接至所述电容电极。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述有机发光二极管包括:

第一电极,与所述第一有源层的所述第二掺杂区域电耦合;

有机发光层,设置在所述第一电极上;以及

第二电极,设置在所述有机发光层上。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一电极为光透射电极,所述第二电极为光反射电极。

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