[发明专利]钽溅射靶有效
| 申请号： | 201410193174.4 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104018127B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/02;C22F1/00;C22F1/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽溅射靶，其特征在于，含有5质量ppm以上且10质量ppm以下的钼作为必要成分，除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上，并且靶中的钼含量的偏差为±20％以内。
2.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，平均晶粒直径为110μm以下。
3.如权利要求1或2所述的钽溅射靶，其特征在于，平均晶粒直径的偏差为±20％以内。
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