[发明专利]场效应晶体管工作点状态重置电路、方法及其OLED显示器

权利要求书

1.一种场效应晶体管工作点状态重置电路，包括：

场效应晶体管，具有源极、漏极和栅极；

第一开关单元，具有第一端、第二端和第一控制端，其中，所述第一端连接到第一电位，所述第二端连接到所述场效应晶体管的源极，所述第一控制端用于接收第一控制信号；

第二开关单元，具有第三端、第四端和第二控制端，其中，所述第三端连接到所述场效应晶体管的漏极，所述第四端通过负载接电源地，所述第二控制端用于接收第二控制信号；以及

第三开关单元，具有第五端、第六端和第三控制端，其中，所述第五端连接到所述场效应晶体管的栅极，所述第六端连接到第二电位，所述第三控制端用于接收第三控制信号，

其中，所述第一控制信号、所述第二控制信号和所述第三控制信号的时序被安排成在所述场效应晶体管每次开始控制所述负载工作之前的预定时间内通过所述第一开关单元、所述第二开关单元和所述第三开关单元使所述场效应晶体管经历一次重置操作，其中，在所述重置操作期间，所述第二开关单元处于截止状态，同时所述第一开关单元和所述第三开关单元处于导通状态，使得所述第一电位通过所述第一开关单元施加到所述场效应晶体管的源极，所述第二电位通过所述第三开关单元施加到所述场效应晶体管的栅极，从而使得所述场效应晶体管的工作点状态被重置，以及在所述重置操作之后，所述第三开关单元处于截止状态，使得所述场效应晶体管能够开始控制所述负载工作。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管工作点状态重置电路，其中，

所述第一电位与所述第二电位的差值的绝对值大于所述场效应晶体管控制所述负载工作时的栅源电压范围的绝对值。

3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管工作点状态重置电路，其中，

所述场效应晶体管是薄膜场效应晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管工作点状态重置电路，其中，

所述负载是有机发光二极管。

5.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管工作点状态重置电路，其中，

所述第一开关单元、所述第二开关单元和所述第三开关单元是开关型场效应晶体管。

6.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管工作点状态重置电路，其中，

所述场效应晶体管、所述第一开关单元、所述第二开关单元和所述第三开关单元是PMOS场效应晶体管。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管工作点状态重置电路，其中，

所述第一电位是电源的正极，所述电源地是所述电源的负极，以及所述第二电位是负电位。