[发明专利]接触电阻的测试方法和测试结构

说明书

技术领域

本申请涉及电阻测试领域，具体涉及接触电阻的测试方法和测试结构。

背景技术

现有技术中的热载流子注入实验是一种非常消耗时间的初级可靠性实验。在该实验中，探针与垫片的接触好坏对于实验和最终结果影响很大，当探针接触并不可靠时，实验所得的电信号参数会相应的发生改变。而探针与其对应的焊垫是否接触可靠，可以通过探针与其对应的焊垫之间的接触电阻来判断。

现有技术中的缺点：由于探针与其对应焊垫之间的接触电阻非常小，使得探针与对应焊垫接触并不可靠，对应的接触电阻也相应较小。这使现有技术中在需要检测探针的接触电阻时，工作人员需要耗费大量的时间和样本进行反复测试，才可获得较为准确的实验数据，导致工作成本较高。

发明内容

本申请旨在提供一种接触电阻的测试方法和测试结构，以达到降低工作成本的目的。

为了实现上述目的，本申请提供了一种接触电阻的测量方法，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间设置电阻R；对两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I；根据第一电压V和第一电流I计算出两个相邻焊垫之间的总电阻；对与两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流I'并测量出电阻R对应的第二电压V'；根据第二电压V'和第二电流I'计算出电阻R的大小；根据总电阻以及电阻R的大小计算出接触电阻的大小。

进一步地，两个相邻焊垫包括第一焊垫和第二焊垫，接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I＝R₁+R₂+R计算出总电阻，其中，R₁为第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻，R₂为第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻。

进一步地，接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V'/I'＝R计算出电阻R的大小。

进一步地，接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I-V'/I'＝R₁+R₂计算出接触电阻。

进一步地，电阻R包括电阻本体和用于连接电阻本体以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加电阻本体和金属层。

进一步地，电阻R包括多晶硅和用于连接多晶硅以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加多晶硅和金属层。

进一步地，电阻R包括有源区和用于连接有源区以及两个相邻焊垫的金属层，接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻焊垫之间增加有源区和金属层。

本发明还提供了一种测试结构，应用上述接触电阻的测试方法测量热载流子注入实验中焊垫和探针之间的接触电阻。

进一步地，测试结构包括连接于两个相邻焊垫上的电压表和串接于两个相邻焊垫之间的电阻R。

进一步地，测试结构包括用于测量总电阻大小的第一状态和用于测量电阻R的大小的第二状态。

进一步地，电阻R包括设置于两个相邻焊垫之间的电阻本体和用于连接电阻本体与两个相邻焊垫的金属层。

进一步地，电阻R包括设置于两个相邻焊垫之间的多晶硅和用于连接多晶硅与两个相邻焊垫的金属层。

进一步地，电阻R包括设置于两个相邻焊垫之间的有源区和用于连接有源区与两个相邻焊垫的金属层。

应用本申请的接触电阻的测试方法，通过在两个相邻焊垫之间设置电阻R，可以计算出两个相邻焊垫之间的总电阻，再利用差值计算法计算出接触电阻的数值大小，能够有效节约测试时间和测试样本，达到降低工作成本的目的。

进一步地，由于接触电阻本身过小，设置电阻R并使用差值计算方法，能够使测量出来的接触电阻的数值与现有技术中的测量方法测量出的数值相比更加准确。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施方式及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为根据本申请接触电阻的测量方法实施方式中第一步骤的的测试原理示意图；

图2为根据本申请接触电阻的测量方法实施方式中第二步骤的测试原理示意图；

图3为根据本申请测试装置的第一实施方式中的结构示意图；

图4为根据本申请测试装置的第二实施方式中的结构示意图；

图5为根据本申请测试装置的第三实施方式中的结构示意图。

具体实施方式