[发明专利]具有合适原子分布的I‑III‑VI2化合物吸收件的光伏器件制造方法

权利要求书

1.一种用于形成光伏器件的吸收层的方法，包括：

在衬底的之上形成金属前体层；

将含硫前体沉积到所述金属前体层上；以及

在沉积所述含硫前体的步骤之后，将含硒前体沉积到所述金属前体层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属前体层包括选自由第I族元素、第III族元素、它们的合金或任意组合所组成的组中的材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第I族元素选自由Cu和Ag组成的组。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述第III族元素选自由Al、Ga、In和Tl组成的组。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，

所述金属前体层还包括硒(Se)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述含硫前体沉积到所述金属前体层上的步骤中：

所述含硫前体包括硫化氢或硫元素蒸汽；以及

在介于300℃至550℃范围内的第一温度下沉积所述含硫前体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在低于沉积所述含硫前体的第一温度的至少一个温度下，将含硒前体沉积到所述金属前体层上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，将含硒前体沉积到所述金属前体层上的步骤包括：

在第二温度下沉积所述含硒前体；以及

在不同于所述第二温度的第三温度下沉积所述含硒前体。

9.一种用于制造光伏器件的方法，包括：

在衬底之上形成背面接触层；以及

在所述衬底之上形成包括吸收材料的吸收层，其中，形成所述吸收层的步骤包括：

在衬底之上形成金属前体层；

将含硫前体沉积到所述金属前体层上；以及

在沉积所述含硫前体的步骤之后，将含硒前体沉积到所述金属前体层上。

10.一种光伏器件，包括：

衬底；

背面接触层，设置在所述衬底的上方；以及

吸收层，包括设置在所述背面接触层之上的吸收材料，其中，所述吸收层的底面基本不包括硫，并且所述吸收层的上表面上的硫与硒和硫的总量的原子比例介于0.1至1.0的范围内。