[发明专利]AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法

权利要求书

1.一种AlGaN-GaN异质结上欧姆接触制作方法，包括如下步骤：

(1)对AlGaN/GaN材料进行清洗；

(2)在清洗后的AlGaN/GaN材料表面的源、漏欧姆电极区进行光刻，制作带有很多通孔的光刻胶掩膜，这些通孔的面积之和为欧姆接触电极总面积的15％～45％；通孔中露出AlGaN材料；

(3)利用干法刻蚀对光刻胶掩膜通孔中露出的AlGaN材料进行刻蚀，得到源、漏欧姆电极区挖有很多孔的AlGaN材料，挖孔深度为5～15nm；刻蚀完成后去除光刻胶掩膜；

(4)在挖孔的整个源、漏欧姆电极区域的AlGaN材料之上，淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，并进行800～870℃退火30～60s，形成源、漏欧姆接触电极。

2.根据权利要求书1中所述的方法，其中所述步骤(1)中的对AlGaN/GaN材料进行清洗，按如下步骤进行：

先将AlGaN/GaN异质结材料放置于1:5的HF溶液中浸泡30s，去除表面氧化层；

再将AlGaN/GaN异质结材料放置于丙酮、乙醇有机溶剂中超声清洗，去除表面沾污，并用去离子水冲洗5分钟。

3.根据权利要求书1中所述的方法，其中所述步骤(3)中的干法刻蚀，工艺条件如下：

采用RIE反应离子刻蚀，反应气体为Cl₂，其流量40sccm，

反应室压强为10mT，

电极功率为50W，

刻蚀速率为0.5nm/s。

4.根据权利要求书1中所述的方法，其中所述步骤(4)中的多层金属淀积，是通过电子束蒸发设备进行的，工艺条件如下：

蒸发前真空度达到10^-7Tor以下，金属蒸发速率为0.3nm/s。

5.根据权利要求书1中所述的方法，其中所述步骤(4)中淀积Ti/Al/Ni/Au多层金属，其厚度分别是：Ti为20～30nm，Al为150～250nm，Ni为40～60nm，Au为60～100nm。

6.根据权利要求书1中所述方法，其中所述步骤(4)中的退火，使用设备为RTP快速热退火炉，按如下步骤进行：

首先，向退火炉中通入10min的N₂来排除空气；

然后，20℃/s的速率升温至所设定的温度；

最后，以3L/s的速率向退火炉中通入N₂，按所设定的退火时间进行退火。