[发明专利]TFT深接触孔制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示领域TFT阵列基板的制造方法，特别是涉及到一种TFT接触孔的制造方法，应用于薄膜晶体管制备技术领域。

背景技术

薄膜晶体管的英文全称为Thin Film Transistor，缩写为TFT。 

    参见图1，传统的TFT阵列基板中TFT深接触孔的制造方法如下：

一、首先将PECVD沉积的绝缘层膜后的基板清洗洁净，并在此基板表面之上涂布正性光刻胶及前烘，利用图形化转移方式对涂布的正性光刻胶进行曝光、显影以及后烘，制作出预进行干法刻蚀的接触孔图形；二、对此基板上PECVD沉积的绝缘层膜进行干刻处理，为保证每次干刻工艺结束后的光刻胶可以被完全去除干净，控制干刻工艺时间，在后续N次重复干刻工艺之后，整个绝缘层膜可以被完全刻蚀干净；三、剥离基板表面光刻胶；四、重复骤一、二、三的工艺步骤N次，直至干刻工艺结束。至此，本方法的TFT阵列基板深接触孔制造工艺结束。

传统的TFT阵列基板中TFT深接触孔的制造方法通过多次光刻图形化转移、多次干法刻蚀进行，制作工艺较为繁复，生产受到影响，产品合格率不高，工艺制造成本较高，对于深接触孔图形干刻由于采用的光刻胶长时间在干刻气氛的作用下而发生性状改变，采用传统脱膜方式无法将其彻底去除干净导致光刻胶残留，因此传统选用分步刻蚀的方式对深接触孔图形进行干法刻蚀。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种TFT深接触孔制造方法，该工艺通过在PECVD沉积的绝缘层膜之后先进行一次常温非晶化ITO膜层工艺加工，从而使得深接触孔干刻只经过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀工艺即可实现深接触孔的干刻工艺。

为达到上述发明创造目的，本发明采用下述技术方案：

一种TFT深接触孔制造方法，包括如下步骤：

a. 在清洗洁净的TFT基板上利用PECVD工艺沉积一层绝缘层膜，绝缘层膜的厚度可根据工艺需求沉积比传统干刻工艺所能接受厚度更厚的厚度；

b．在上述步骤a中制备的绝缘层膜之上用磁控溅射方法生长一层非晶化ITO膜层，使非晶化ITO膜层的厚度小于在上述步骤a中制备的绝缘层膜的厚度；

c. 通过光刻图形化工艺，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上，然后按照非晶化ITO膜层上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，利用ITO刻蚀液对非晶化ITO膜层进行刻蚀，在非晶化ITO膜层上形成接触孔图形，使接触孔底部的绝缘层膜裸露出来，并利用剥离液剥离掉非晶化ITO膜层表面上的光刻胶，使具有接触孔的非晶化ITO膜层显露出来；作为优选的工艺手段，对非晶化ITO膜层表面上进行图形化工艺时，首先在非晶化ITO膜层之上涂布一层光刻胶涂层，再经过光刻、显影、烘烤形成具有接触孔的光刻胶图形，使接触孔底部的非晶化ITO膜层裸露出来，即完成将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上的工艺工程；

d. 以在上述步骤c中制备的具有接触孔的非晶化ITO膜层作为绝缘层膜的干法刻蚀阻挡层，通过接触孔对绝缘层膜进行干法刻蚀，直至形成深接触孔，使深接触孔底部的TFT基板表面裸露出来；

e. 再次利用ITO刻蚀液刻蚀掉非晶化ITO膜层，使具有深接触孔的绝缘层膜显露出来，从而完成TFT深接触孔制造过程。

作为本发明优选的技术方案，在上述步骤a中，绝缘层膜优选采用SiOx绝缘层膜；在上述步骤d中，优选对SiOx绝缘层膜进行干法刻蚀时，在CF4气氛下施行干刻工艺。

作为上述技术方案的优选技术方案，在上述步骤c和步骤e中，均采用草酸刻蚀液在常温下对非晶化ITO膜层进行刻蚀。

本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：