[发明专利]一种解决离子注入机路径污染的方法

权利要求书

1.一种解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：

提供中轻原子量的离子作为离子源，调节离子注入机，使所述离子源被加速后在所经的路径上形成发散的离子束，所述离子束撞击路径内壁上的污染层，将污染层剥离；

提供多个放置于离子注入机台上的控片，所述离子束及剥离后的污染层注入于所述控片中，完成所述污染层的去除。

2.根据权利要求1所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：所述离子束的能量范围为10～80kev，注入剂量范围为5.0×10¹⁵～1.0×10¹⁶atoms/cm²，离子束的电流范围为1～2mA。

3.根据权利要求1所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：所述离子源为硼离子。

4.根据权利要求3所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：形成所述硼离子的气体为BF₃，所述BF₃气体的流量范围设置为2.5～3.5sccm，形成所述硼离子的电弧电压范围为50～60V，电弧电流的范围为2.0～3.0mA。

5.根据权利要求4所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：通过调节所述离子注入机中萃取电极的三轴位置使所述离子源形成发散的离子束，充分撞击路径内壁。

6.根据权利要求1所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：每间隔44～52小时采用所述方法清除离子注入机路径污染层一次，每次进行清除污染物的操作时间范围为50～70分钟。

7.根据权利要求1所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：所述控片的数量为10～20片。

8.根据权利要求7所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：所述控片为加工过程中产生的次品晶片。

9.根据权利要求1所述的解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于：所述污染层为N型的磷离子。