[发明专利]一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构有效
| 申请号： | 201410193657.4 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN105093838B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 曝光 系统 半影 入射 光掩模 方法 结构 | ||
1.一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于，所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括：
提供一下表面具有掩模图案的光掩模，在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层，以阻挡面光源在光掩模上形成的半影，其中，所述第一遮光层始于半影的内边界；所述第一遮光层的宽度大于或等于半影的宽度；所述光掩模包括一透光基板、制作于所述透光基板下表面的相移层、制作于所述相移层下表面的第二遮光层，所述掩模图案包括主图区和边缘遮光区。
2.根据权利要求1所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于：所述第一遮光层的厚度范围设置为10～1000nm。
3.根据权利要求1～2任一项所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于：所述第一遮光层的材料为Cr。
4.根据权利要求3所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于：采用化学气相沉积工艺在所述光掩模的上表面边缘形成第一遮光层。
5.根据权利要求1所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于：所述透明基板为玻璃基板。
6.根据权利要求1所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于：所述相移层为MoSi；所述第二遮光层为Cr层。
7.根据权利要求1所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的方法，其特征在于：所述掩模图案包括主图区。
8.一种防止曝光系统中半影入射光掩模的结构，其特征在于：所述防止曝光系统中半影入射光掩模的结构至少包括：
下表面具有掩模图案的光掩模；
设置在所述光掩模的上表面边缘且用来阻挡面光源在光掩模上形成半影的第一遮光层，所述第一遮光层始于半影的内边界；所述第一遮光层的宽度大于或等于半影的宽度，所述光掩模包括一透光基板、制作于所述透光基板下表面的相移层、制作于所述相移层下表面的第二遮光层，所述掩模图案包括主图区和边缘遮光区。
9.根据权利要求8所述的防止曝光系统中半影入射光掩模的结构，其特征在于：所述第一遮光层的厚度范围设置为10～1000nm。
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