[发明专利]一种横向高压器件有效
| 申请号： | 201410194278.7 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103985758B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 乔明;周锌;祁娇娇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 李顺德,王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 高压 器件 | ||
1.一种横向高压器件，其元胞结构包括第二导电类型半导体衬底(1)、设置在第二导电类型半导体衬底(1)上层的第二导电类型体区(2)和第一导电类型阱区(3)；第二导电类型体区(2)的上层设置有相互独立的第二导电类型接触区(4)和第一导电类型源区(5)；第一导电类型阱区(3)上层设置有浅槽隔离区(7)和第一第一导电类型缓冲区(11)，其中浅槽隔离区(7)位于第二导电类型体区(2)和第一第一导电类型缓冲区(11)之间；第一第一导电类型缓冲区(11)的上层设置有第一导电类型漏区(6)；第二导电类型接触区(4)、第一导电类型源区(5)和第一导电类型漏区(6)的上端面分别设置有金属层(9)；第一导电类型源区(5)与浅槽隔离区(7)之间的第二导电类型体区(2)和第一导电类型阱区(3)的上端面设置有栅氧化层(10)；栅氧化层(10)的上端面设置有多晶硅栅(8)；金属层(9)之间填充氧化层(13)；其特征在于，第一导电类型阱区(3)中还设置有第二第一导电类型缓冲区(12)，第二第一导电类型缓冲区(12)位于浅槽隔离区(7)靠近第二导电类型体区(2)的一端，第二第一导电类型缓冲区(12)覆盖了浅槽隔离区(7)的拐角，且第二第一导电类型缓冲区(12)的掺杂浓度低于第一导电类型阱区(3)的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于，所述第二第一导电类型缓冲区(12)与栅氧化层(10)的底部连接。
3.根据权利要求1所述的一种横向高压器件，其特征在于，所述第二第一导电类型缓冲区(12)为分段结构。
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