[发明专利]一种高电负性有机半导体

权利要求书

1.一种高电负性有机半导体具有化合物通式I，其中：

（I）

R₁，R₂为取代基：H,苯基，联苯基，芳杂环，碳原子数小于7的烷基，烷氧基；F, Cl，-NO_2，或 –CN；

A₁，A₂为高电负性连接单元，其特征在于高电负性连接单元是由含N, S, O的芳杂组成，或5-6元芳杂环的融合环组成。

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于A₁，A₂由以下电负性芳杂环组成：

        A₁，A₂：

其中R, R₁和R₂为H，烷烃取代，氧烷烃取代，芳杂环取代。

3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于高电负性连接单元由如下A₁，A₂组成：

。

4.根据权利要求2所述化合物，其特征在于A₁，A₂可由支化高电负性芳杂环组成，优选结构为：

。

5.根据权利要求1所述化合物，其特征在于高电负性连接单元可选含有交联性功能团，优选为环氧基，丙烯基酯，氮酯。

6.一种有机半导体电子器件，其特征在于所述的有机半导体器件由以下部分组成：

一个阴极；

一个阳极；

一个夹心于阴极和阳极方向的有机半导体层，其特征是该有机半导体中含有通式（I）所述的高电负性有机半导体：

（I）

R₁，R₂为取代基：H,苯基，联苯基，芳朵环，碳原子数小于7的烷基，烷氧基；F, Cl，-NO_2，或 -CN。

7.根据权利要求6所述的有机半导体电子器件，其特征在于所述的高电子亲和化合物作为N型半导体，应用的电子器件为一有机晶体管。