[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410198292.4 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097899A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周真 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
硅基底；
覆盖所述硅基底的第一层NiPt薄膜；以及
覆盖所述第一层NiPt薄膜的第二层NiPt薄膜；
其中，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量高于第二层NiPt薄膜中Pt的含量。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量为5mol％～30mol％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括一保护层，所述保护层覆盖所述第二层NiPt薄膜。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料为TiN。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第三层NiPt薄膜，所述第三层NiPt薄膜位于所述第二层NiPt薄膜与保护层之间，所述第三层NiPt薄膜中Pt的含量低于所述第二层NiPt薄膜中Pt的含量。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一层NiPt薄膜的厚度为所述第二层NiPt薄膜的厚度为
7.一种半导体结构的形成方法，包括：
提供一硅基底；
在所述硅基底上沉积第一层NiPt薄膜；
在所述第一层NiPt薄膜上沉积第二层NiPt薄膜；
其中，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量高于第二层NiPt薄膜中Pt的含量。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量为5mol％～30mol％。
9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述硅基底上沉积第一层NiPt薄膜之前，还包括对所述硅基底进行预清洗工艺。
10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用CVD工艺形成所述第一层NiPt薄膜和第二层NiPt薄膜，所述第一层NiPt薄膜的厚度为所述第二层NiPt薄膜的厚度为
11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第二层NiPt薄膜后，还包括：形成一保护层覆盖于所述第二层NiPt薄膜上，所述保护层的材料为TiN。
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第二层NiPt薄膜后，在形成一保护层之前，还包括：形成第三层NiPt薄膜，所述第三层NiPt薄膜中Pt的含量低于第二层NiPt薄膜中Pt的含量。
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