[发明专利]具有缓冲材料和加强层的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

加工过的半导体晶片，其中该半导体晶片包括至少一个通孔；

放置在该半导体晶片的至少一部分上的介电层；

耦接到该半导体晶片的集成电路芯片；

放置在该半导体晶片和该集成电路芯片之间的底部填充层；

放置在介电层的至少一部分、该底部填充层和该半导体晶片上的缓冲材料层，并且该缓冲材料层覆盖该集成电路芯片的至少一部分；

放置在该缓冲材料层和该集成电路芯片上的粘结材料，该粘结材料具有大于100ppm/℃的热膨胀系数；

放置在该粘结材料上的加强层，其中该加强层包括具有高模量或机械强度以阻止晶片翘曲的材料，该加强层通过该粘结材料与该集成电路芯片和该缓冲材料层分隔；以及

形成在该加工过的半导体晶片上的至少一个焊料块。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该加工过的半导体晶片包括加工过的超薄半导体晶片。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该加工过的半导体晶片包括小于大约100μm厚度的晶片。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该介电层包括氧化层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该缓冲材料层包括环氧基材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该缓冲材料层包括覆盖该集成电路芯片的至少一侧而露出该集成电路芯片远离底部填充层的一侧的缓冲材料层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该加强层包括硅晶片。

8.一种电子装置，包括：

印刷电路板；以及

耦接到该印刷电路板的半导体器件，该半导体器件包括：

加工过的半导体晶片，其中该半导体晶片包括至少一个通孔；

放置在该半导体晶片的至少一部分上的介电层；

耦接到该半导体晶片的集成电路芯片；

放置在该半导体晶片和该集成电路芯片之间的底部填充层；

放置在介电层的至少一部分、该底部填充层和该半导体晶片上的缓冲材料层，并且该缓冲材料层覆盖该集成电路芯片的至少一部分；

放置在该缓冲材料层和该集成电路芯片上的粘结材料，该粘结材料具有大于100ppm/℃的热膨胀系数；

放置在该粘结材料上的加强层，其中该加强层包括具有高模量或机械强度以阻止晶片翘曲的材料，该加强层通过该粘结材料与该集成电路芯片和该缓冲材料层分隔；以及

形成在该加工过的半导体晶片上的至少一个焊料块。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中该加工过的半导体晶片包括加工过的超薄半导体晶片。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其中该加工过的半导体晶片包括小于大约100μm厚度的晶片。

11.根据权利要求8所述的电子装置，其中该介电层包括氧化层。

12.根据权利要求8所述的电子装置，其中该缓冲材料层包括环氧基材料。

13.根据权利要求8所述的电子装置，其中该缓冲材料层包括覆盖该集成电路芯片的至少一侧而露出该集成电路芯片远离底部填充层的一侧的缓冲材料层。

14.根据权利要求8所述的电子装置，其中该加强层包括硅晶片。