[发明专利]一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法有效
| 申请号： | 201410199891.8 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097503B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉龙;王琳琳;彭雾 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 硅化钛 硅肖特基 接触 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法，其特征在于具体步骤为：向硅化钛/硅肖特基整流二极管中的硅化钛薄膜中引入适量氮原子，实现接触势垒调节；
所述引入氮原子的方法有两种，它们分别是：
（1）在硅衬底上淀积金属钛膜后，通过离子注入或扩散方式将氮原子引入到金属钛膜中，再利用退火过程，使金属钛膜与衬底硅发生固相反应，在形成硅化钛/硅肖特基整流接触的同时，将氮原子掺入形成的硅化钛薄膜中；
（2）在硅衬底上淀积金属钛膜后，先利用退火过程使金属钛与衬底硅发生固相反应，生成硅化钛/硅肖特基整流接触，再利用离子注入或扩散工艺将氮原子引入到硅化钛薄膜中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的退火温度为500~1000℃，时间为1秒~10分钟。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于最终生成的含有氮原子的硅化钛薄膜与衬底硅接触界面一侧的硅化钛薄膜10纳米厚度内氮原子平均体浓度为1015-1024 cm-3。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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