[发明专利]一种具有温度监测功能的BiCMOS无运放带隙电压基准源

权利要求书

1.一种具有温度监测功能的BiCMOS无运放带隙电压基准源，其特征在于，包括：基准产生模块(10)、与所述基准产生模块(10)连接的偏置产生模块(20)、与所述偏置产生模块(20)连接的温度保护模块(40)、与所述温度保护模块(40)连接的启动电路(30)、以及与所述偏置产生模块(20)、启动电路(30)和温度保护模块(40)均连接的负反馈嵌位电路(50)；其中，

所述基准产生模块(10)生成基准电压(V_ref)；

所述偏置产生模块(20)产生第一偏置电压(V₁)并辅助基准产生模块(10)进行电压嵌位；

所述温度保护模块(40)通过第一偏置电压(V₁)输出温度保护信号(V_out)；

所述启动电路(30)通过温度保护模块(40)生成的启动使能信号，生成干扰电流，使电路进入正常工作状态；

所述负反馈嵌位电路(50)用于稳定基准电压(V_ref)和第一偏置电压(V₁)。

2.根据权利要求1所述的BiCMOS无运放带隙电压基准源，其特征在于，所述基准产生模块(10)包括：第三npn晶体管(Q₃)、第四npn晶体管(Q₄)、第一电阻(R₁)、第二电阻(R₂)、第三电阻(R₃)、第四电阻(R₄)、第五电阻(R₅)和第六电阻(R₆)；其中，

所述第一电阻(R₁)的一端为电路的输出基准电压(V_ref)，所述第一电阻(R₁)的另一端分别连接所述第二电阻(R₂)、所述第三电阻(R₃)的一端；

所述第二电阻(R₂)的另一端连接所述第四电阻(R₄)的一端以及所述第三npn晶体管(Q₃)的基极；

所述第四电阻(R₄)的另一端连接所述第五电阻(R₅)的一端以及所述第三npn晶体管(Q₃)的集电极；

所述第三npn晶体管(Q₃)的发射极直接接地；

所述第五电阻(R₅)的另一端连接所述第四npn晶体管(Q₄)的基极；

所述第三电阻(R₃)的另一端与所述第四npn晶体管(Q₄)的集电极连接；

所述第四npn晶体管(Q₄)的发射极连接所述第六电阻(R₆)的一端，所述第六电阻(R₆)的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的BiCMOS无运放带隙电压基准源，其特征在于，所述第一电阻(R₁)为可修调电阻，所述第二电阻(R₂)和所述第三电阻(R₃)的阻值相等，所述第四电阻(R₄)和所述第六电阻(R₆)的阻值相等，并且所述第五电阻(R₅)的阻值大于所述第四电阻(R₄)和所述第六电阻(R₆)的阻值。