[发明专利]改性二氧化硅微粒及其制造方法、薄膜形成用的涂布液、带薄膜的基材、以及光电单元

权利要求书

1.一种改性二氧化硅微粒，其特征在于，该微粒是在二氧化硅微粒的表面结合有4官能的有机硅化合物的低聚物的改性二氧化硅微粒，所述低聚物是所述4官能的有机硅化合物的单体以线状结合后的形态，所述低聚物的平均分子量在1000～10000的范围内,

所述有机硅化合物表示为SiX₄，其中X是碳数1～4的烷氧基、羟基、卤素、氢。

2.如权利要求1所述的改性二氧化硅微粒，其特征在于，所述二氧化硅微粒是二氧化硅中空微粒。

3.如权利要求2所述的改性二氧化硅微粒，其特征在于，所述低聚物结合在所述二氧化硅中空微粒的表面的重量相当于所述二氧化硅中空微粒的重量的3～90％。

4.如权利要求1所述的改性二氧化硅微粒，其特征在于，所述有机硅化合物是4官能的水解性有机硅烷。

5.一种改性二氧化硅微粒的制造方法，其特征在于，包括：

制备包含二氧化硅微粒的二氧化硅分散液的工序；

使4官能的有机硅化合物的单体在酸的环境下低聚化的低聚物液的制备工序；

通过将酸从所述低聚物液中除去，添加所述二氧化硅分散液进行搅拌，使所述4官能的有机硅化合物的低聚物结合在所述二氧化硅微粒的表面的改性工序,

所述有机硅化合物表示为SiX₄，其中X是碳数1～4的烷氧基、羟基、卤素、氢。

6.如权利要求5所述的改性二氧化硅微粒的制造方法，其特征在于，所述改性工序中，从所述低聚物液中除去酸以使该低聚物液的pH在5～7的范围内。

7.如权利要求5所述的改性二氧化硅微粒的制造方法，其特征在于，所述改性工序是从添加所述二氧化硅分散液和所述低聚物液而得的溶液中除去酸并进行搅拌的工序。

8.如权利要求7所述的改性二氧化硅微粒的制造方法，其特征在于，所述改性工序中，通过除去酸使该溶液的pH在4～7的范围内。

9.如权利要求5～8中任一项所述的改性二氧化硅微粒的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅微粒是二氧化硅中空微粒。

10.一种薄膜形成用的涂布液，它是包含在二氧化硅微粒的表面结合有4官能的第一有机硅化合物的低聚物的改性二氧化硅微粒、和粘合剂成分的涂布液，其特征在于，

所述低聚物是所述第一有机硅化合物的单体以线状结合后的形态，所述低聚物的平均分子量在1000～10000的范围内,

所述有机硅化合物表示为SiX₄，其中X是碳数1～4的烷氧基、羟基、卤素、氢；

所述粘合剂成分包含4官能的第二有机硅化合物。

11.如权利要求10所述的薄膜形成用的涂布液，其特征在于，所述二氧化硅微粒是二氧化硅中空微粒。

12.如权利要求10或11所述的薄膜形成用的涂布液，其特征在于，所述粘合剂成分还包含3官能的有机硅化合物。

13.一种带薄膜的基材，其特征在于，在表面具备由权利要求10～12中任一项所述的涂布液所形成的薄膜。

14.如权利要求13所述的带薄膜的基材，其特征在于，所述薄膜的厚度在80～120nm、或180～220nm的任一范围内。

15.一种光电单元，其特征在于，具备带有由权利要求10～12中任一项所述的涂布液所形成的薄膜的透明基材，并且所述薄膜起到防反射膜的作用。